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NTJS4151PT1G

更新时间:2025-07-03 13:02:59

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
NTJS4151PT1G
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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只做原装正品，假一罚十，大量现货，特价销售

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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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NTJS4151PT1G外观图

NTJS4151PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJS4151PT1G 概述

NTJS4151PT1G是一款由安森美半导体生产的P沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，适合在小型化电路设计中使用。该MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，可在便携式设备、电池供电系统以及负载切换等多种应用场合发挥作用。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，可用于电源管理部分的负载开关或者DC-DC转换器中的同步整流管。在电池供电系统里，可实现高效能的功率控制与分配。由于其封装小巧，便于高密度PCB布局，在实际应用时应注意遵循推荐的焊盘设计以确保良好的焊接质量。同时要关注栅极驱动电压的选择，确保可靠开启和关断MOSFET。

NTJS4151PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SC-88
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTJS4151PT1GOSNTJS4151PT1GOS-NDNTJS4151PT1GOSTR

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