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NTK3139PT1G

更新时间:2025-05-26 06:58:14

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳市鹏翔新科技有限公司
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深圳市金百纳电子有限公司
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深圳市港深电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市新亿利电子有限公司
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深圳市深创辉科技有限公司
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NTK3139PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-723

封装:SOT-723

NTK3139PT1G 概述

NTK3139PT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于便携式设备和空间受限的应用场景。此MOSFET的最大漏源电压为-20V，连续漏极电流可达-3.1A。它常用于电源管理电路、负载开关、DC-DC转换器等应用中。在便携式电子产品如智能手机和平板电脑中，可用于电池充电控制和电源路径管理。使用时应注意其最大功耗限制，确保不超过封装允许的功率范围。由于其小尺寸封装，在PCB布局时需特别注意散热设计，并合理规划走线宽度以降低寄生电感影响。在实际应用中可与升压转换器配合使用实现高效电源管理方案。

NTK3139PT1G 规格参数