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的肖特基二极管的正向电压(vf)已经是400 mv，这就导致无法提供足够的电压裕量。而且随着充电电流的增加，肖特基二极管所促成的0.4 v极高压降更会使其成为一个阻塞点。因此，在今后的解决方案中应该避免使用fetky解决方案。 而在另一方面，通过用具有低v ce(sat)的晶体管或者具有低rds(on)的mosfet代替肖特基二极管，可以降低传输元件上的压降，从而符合所需要的有限电压裕量要求。例如，双fet用作充电功率元件(如图3(b)所示)就是一个更加合适的选择。在这方面，安森美半导体的ntljd3115p和nthd4102p就是非常适合的选择。其中，ntljd3115p是一款-20 v、-4.1 a、μcool? 双p沟道功率mosfet，它采用2×2 mm的wdfn封装，具有极低的导通阻抗，其0.8 mm的高度也使其非常适合纤薄的应用环境；它针对便携设备中的电池和负载管理应用进行了优化，适合于锂离子电池充电和保护电路应用及高端负载开关应用。而nthd4102p是一款-20 v、-4.1 a双p沟道chipfettm功率mosfet，同样具有较小的占位面积和极低的导通阻抗，适合于纤薄的便携应用环
产品型号:NTLJD3115PT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):1
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):1
通道极性:P/P沟道
封装/温度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL双P沟道功率MOSFET
价格/1片(套):￥3...
电流参数：ID=-3.3A/IDM=-20A/IS=-1.9A电压参数：UDSS=-20V/UGS=±8V功 率： PD=1.5W&/PD=0.71W其他参数：4.5V/75mΩ、2.5V/101mΩ、1.8V/150mΩ极 性：P备 注： 双场效应管/内含二极管
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