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SI1026X-T1-E3

更新时间:2023-05-29 14:39:18
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SI1026X-T1-E3PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI1026X-T1-E3外观图

  • 数据列表：SI1026X
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：305mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：30pF @ 25V
  • 功率 - 最大：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SC-89-6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI1026X-T1-E3TR
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