(批量1万件)的nths5441,是一种20v、3.9a的器件,其沟道电阻与ir公司和飞兆公司的器件相当:在vgs为-4.5v时为55mw(最大值),在vgs为-2.5v时为83mw。直接根据数据表来对安装后的csp器件的热阻进行对比是不可能的,因为器件制造厂商没有采用一种共同的测试板尺寸。但是,利用fdz204p pn结到球的热阻和5441 pn结到漏极垫片的热阻,你可以预计,在印刷电路板设计和工作条件相同的情况下,chipfet的温升大约要增大50%。 负载开关,如siliconix公司的si1037x和si7407dn,也都采用人们熟悉的小型塑料smt封装。20v的1037在vg s为4.5v时可以通过770ma的稳态电流。这种采用sc-89-6封装的pmos器件,在栅极驱动电压低到-1.8v时,具有规定的最大沟道电阻--350mw。在满栅极驱动电压为-4.5v时,它的通导电阻则降到了195mw。1037的1.6mm见方的封装保持有0.6mm空间以适应低气压情况。 负载开关中尺寸较大的3.3mm见方的12v、9.9a的si7407 pmos开关,它在vgs为-4.5v时形成
电流参数:ID=0.77A/IDM=-4A/IS=-0.14A电压参数:UDS=-20V/UGS=±8V功 率:PD=0.17W其他参数:4.5V/0.16Ω,2.5V/0.212Ω,1.8V/0.29Ω极 性:P