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SI1912EDH-T1

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SI1912EDH-T1PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：1.28 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-363-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：85 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：740 mW
  • 上升时间：85 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：350 ns
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