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SI2301CDS-T1-GE3

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  • 大小:81.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On State Resistance:90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Voltage Vgs Max:8V; Power Dissipation:1.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:405pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2301CDS-T1-GE3TR
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