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STD1NK60T4

更新时间:2023-09-24 00:47:36
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STD1NK60T4 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=1A
    电压参数：UDS=600V/UGS=±30V
    功  率：Ptot=30W
    其他参数：10V/8Ω,trr=229ns
    极  性：N

STD1NK60T4的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STD1NK60T4外观图

  • 其它有关文件：STD1NK60 View All Specifications
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SuperMESH™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：156pF @ 25V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-2483-6
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