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STD2NB80T4

更新时间:2025-06-16 02:19:14

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STD2NB80T4 概述

STD2NB80T4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有800V的漏源击穿电压(VDS)，适用于高电压应用环境。其连续漏极电流(ID)为2A，在高温条件下也能保持较好的电气性能。由于其低导通电阻(RDS(on))特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。STD2NB80T4常用于电源管理、开关电源转换器以及工业控制等需要高电压和较高能效的应用场景中。在设计电路时，需注意适当的散热措施以确保器件工作在安全温度范围内，并遵循推荐的栅极驱动电路设计以实现最佳性能。

STD2NB80T4 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
800 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
1.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
6.5 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Reel
下降时间
17 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
55 W
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500

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