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STP11NB40

更新时间:2025-07-05 15:59:55

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说明
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STP11NB40 概述

STP11NB40是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压为400V，适合于交流-直流转换器、不间断电源系统及电机驱动等场合。在实际应用中，此MOSFET常用于高压侧开关或同步整流电路。设计时应注意栅极驱动电路的设计，确保提供足够的驱动电压以实现低导通电阻。同时，在布局PCB时，尽量缩短源极到地的走线长度，减少寄生电感影响。对于高频率应用，还需考虑MOSFET的开关损耗，合理选择工作频率与散热方案。

STP11NB40 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
400 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
10.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.48 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube
下降时间
10 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
125 W
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50

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