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SUB75P03-07

更新时间:2025-05-15 05:46:11
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SUB75P03-07 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=-75A/IDM=-240A
    电压参数：UDS=-30V/UGS=±20V
    功   率：PD=3.75W
    其他参数:10V/0.0055Ω,trr=55ns
    极  性:P

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SUB75P03-07 PDF下载
  • 大小：63.8KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：P-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 封装：Tube
  • 下降时间：210 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.75 W
  • 上升时间：225 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 典型关闭延迟时间：150 ns
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