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NTD4806NT4G

更新时间:2025-06-24 06:58:59

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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6000
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NTD4806NT4G外观图

NTD4806NT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD4806NT4G 概述

NTD4806NT4G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用小巧的TSOP-6封装，适合空间受限的应用。该MOSFET具有低导通电阻特性，在4.5V栅极电压下的典型值为32mΩ，有助于降低导通损耗。其最大漏源电压(VDS)为30V，连续漏极电流(ID)在25°C下可达5.8A。该器件适用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等应用场合。由于其快速开关性能和低栅极电荷，能够提高系统效率并减少开关损耗。在电池供电设备中使用时，可以有效延长电池续航时间。需要注意的是，实际应用时要保证散热良好，防止因过热导致性能下降或损坏。

NTD4806NT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
23nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2142pF @ 12V
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD4806NT4G-NDNTD4806NT4GOSTR

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