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NTD4809NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
NTD4809NT4GPDF下载
产品型号:ntd4809nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9最大漏极电流id(on)(a):58通道极性:n封装/温度(℃):dpak-4/-55~175描述:30v,58a,n沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin
产品型号:NTD4809NT4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9
最大漏极电流Id(on)(A):58
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:30V,58A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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