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  • NTD4808NT4G的技术参数

    产品型号:ntd4808nt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):63通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:63a,30v功率mosfet价格/1片(套):¥4.20 来源:xiangxueqin

  • NTD4808NT4G的技术参数

    产品型号:NTD4808NT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
    最大漏极电流Id(on)(A):63
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:63A,30V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥4.20


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