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差分信号回流路径的全波电磁场解析（二）

强大等特点。没有提供方便直观的界面调入器件模型及电路连接，它使用纯文本格式来描述电路的连接关系及电路中的各个模型， 不适合初级用户。 在hspice 仿真主文件test.sp 对完整参考平面（test1）、gnd1 平面开槽（test3）、gnd2平面开槽（test4）、gnd1 和gnd2 平面均开槽（test5）四种模型定义同一的源。进行时域仿真比较眼图。主文件test.sp 的内容如下： *定义伪随机码发生器 vin1 in1+ com1 lfsr（-0.1 0.1 0 100p 100p 2.5g 1 [7,6] rout=0） vin2 com1 in1- lfsr（-0.1 0.1 0 100p 100p 2.5g 1 [7,6] rout=0） vcom1 com1 0 0 *调用模型库 .include "./tmux_mid3_test1_fws.lib" .include "./tmux_mid3_test3_fws.lib" .include "./tmux_mid3_test4_fws.lib" .includ

TDK电容规格说明

50v 224 1812封装 250v 334 1812封装 250v 474 1812封装 250v 684 1812封装 250v 105 1812封装 500v 224 1812封装 400v 474 1812封装 400v 105 2220封装 以上都为x7r材质，耐125度高温 无极灯 生产高压高频贴片电容-高频无极灯专用（代替cbb） 规格主要有： 1kv np0 101 221 331 471 102。 100p 3kv np0 1808/1812封装 220p 3kv np0 1808或1812封装- 820p 2kv np0 1812封装 102 2kv np0 1812封装 100p 1kv np0 1206封装 220p 1kv np0 1206封装 470p 1kv np0 1206封装 102 1kv np0 1206封装 0.47u 100v x7r 1206封装 0.68u 100v x7r 1206封装 更多规格欢迎查询和索样

运算放大器电路的固有噪声分析与测量

同的频谱密度曲线。这样，我们进行分析时，就能获得两个频谱密度曲线图，一个是针对“电压噪声”节点，另一个则是针对“电流噪声”节点。 图4.3：执行“噪声分析”选项 图4.4显示了噪声分析的结果。我们可用一些简单的方法来将曲线转换为更有用的形式。首先，我们点击“视图”菜单下的“曲线分离”，随后，再点击y轴并选择“对数”标度。根据适当范围设置上下限（四舍五入到10的n次幂）。点数调节为1+number_of_decades。在本例中，我们有三个十倍频程（即100f～100p），因此，我们需要四点（见图4.5）。 图4.4：转变为更有用的格式的简单方法（曲线分离） 图4.5：转变为更有用的格式的简单方法（变为对数标度） 我们将模拟结果与图4.6中的opa227数据表相比较。请注意，二者几乎相同。这就是说，opa227的tina-ti模型能准确进行噪声建模。我们对opa627模型也采用与上述相同的步骤，图4.7显示了测试结果，发现opa627模型没能通过测试。opa627模型的电流噪声频谱密度约为3.5

基于 RF 电路设计中的常见问题及解决方案

2 驱动器或开关电源稳压器。 图1 电源的星形布线 (5) 合理安排pcb 布局 为减小来自噪声模块及周边模拟部分的干扰,各电路模块在板上的布局是重要的。应总是将敏感的模块( rf部分和天线) 远离噪声模块(微控制器和rs 232 驱动器)以避免干扰。 (6) 屏蔽rf 信号对其他模拟部分的影响 如上所述,rf 信号在发送时会对其他敏感模拟电路模块如adc 造成干扰。大多数问题发生在较低的工作频段(如27 mhz) 以及高的功率输出水平。用rf 去耦电容(100p f) 连接到地来去耦敏感点是一个好的设计习惯。 (7) 在板环形天线的特别考虑 天线可以整体做在pcb 上。对比传统的鞭状天线,不仅节省空间和生产成本,机构上也更稳固可靠。惯例中,环形天线(loop antenna) 设计应用于相对较窄的带宽,这有助于抑制不需要的强信号以免干扰接收器。应注意到环形天线(正如所有其他天线) 可能收到由附近噪声信号线路容性耦合的噪声。它会干扰接收器,也可能影响发送器的调制。因此在天线附近一定不要布数字信号线路,并建议在天线周围保持自由空间。接近天线的任

高性能音频放大器的设计准则与技巧

中的负反馈，因而提高系统的线性度。通常，建议采用30db 至40db 的 电压增益。 补偿：放大器的补偿是用来调节开环增益和相位性能，以便当反馈被关闭时能把系统稳 定下来。一般来说，要获得较高的稳定性补偿越大越好。可是，补偿越大，音讯芯片的 频宽和压摆率就越低，而较低的压摆率会使系统产生出较柔和的音讯特性，相反较高的 压摆率则可产生较清晰和真实的音讯特性。 lme49810 的密勒补偿是透过在‘comp’和 ‘biasm’接脚之间加插一个电容来实现的，最适合的电容取值范围是10p 到100p。此 外，补偿电容的等效串联电阻(esr)应较低，以避免电容的等效串联电阻引发潜在零点。 在一般情况下，采用陶瓷电容要比采用电解电容的效果更好。 静音：mute 接脚是由流进的电流量所控制。从50ua 到100ua 为‘play’模式，而低于 50ua 的为‘mute’模式。建议不要让流进mute 接脚的电流超出200ua。 图2：输出偏置电路结构。 输出偏置：lme49810 有两个用来设定偏置的专用接脚(biasp 和biasm)，可以提供一定 的输出偏置电流。可变电阻器rp

电容器100pF以上挑选电路

电容器(100pF以上)挑选电路图

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20W单端纯甲类功放

c/8.2k=20/8.2=2.4ma。由于输入级的晶体管静态工作电流对音质有较大的影响，可以调整该电阻的大小来满足自己的要求。（晶体管静态工作电流小，信噪比高，但是音质发干，低音单薄。如果电流大一些，音质温暖，低音厚实，但是晶体管特有的高频噪声和反映在音频内的电流声也会增加，使信噪比下降。本机取2.4ma还是比较合适的。）电压放大级： 为了简化电路，本机使用一只三极管bd139，采用共射放大电路，还采用了自举电路。 本级的静态电流可以由下式进行估算：vcc/（1.5k+1.5k)=6.8ma。100p的小电容是做频率补偿用的，容量要尽可能的小，如果没有高频自激，可以不用。（当然由于这个小电容的存在对音质有微妙的调节作用，具体怎样处理，看自己的喜好了。）为了保证大信号输出时的幅度特性和线性，同时又不增加太多的元件，本机采用了自举电路，由100uf电容和两个1.5k电阻的分压电路组成。在音响界对于自举电路的批评较多，认为它是一种正反馈，对音质的负面影响较大。由于本电路的出道年代较早，设计前提是“简洁至上”，也许在这里考虑的不是那么全面。输出级： 在原理图的上部的两只mje2955和周边的元件组成

TDK和村田展出ESR控制的层积陶瓷电容器

年1月在美国举行的“desingcon 2007”上由美国sun微系统提出的技术。一般情况下，层积陶瓷电容器的esr和等效串联电感（esl)越低越好。但sun表示，如果esr较低，阻抗频率特性表现出的共振就会过于突出（q値过高），使反共振点的阻抗变高。这样就会造成高频放射电磁噪音增强。因此，通过将esr设定为较高的值来降低q值，从而降低半共振点的阻抗，便可抑制高频放射電磁噪音。 村田制作所此次展示的试制品其特点是在电极设置于长边的低esl产品中采用了esr控制。esl值因产品而异，不过仅在100p～150ph范围内。外形尺寸为1.6mm×0.8mm×0.5mm，耐压为4v。esr值可支持100m～1000mω的范围。该公司解说员表示，“由于客户的要求各不相同，因此根据esr值的不同来准备多种标准产品是很困难的事情。而现在则可按照客户的要求来进行定制”。静电容量值因esr值而有少许不同，不过均在1μf左右。 tdk展出了外形尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm的“1608”型，以及2.0mm×1.2mm×0.85mm的“2012”型esr控制产品。esr值方面，1608型可在最大

村田和TDK的ESR控制的层积陶瓷电容器亮相CEATEC JAPAN 2008

年1月在美国举行的“desingcon 2007”上由美国sun微系统提出的技术。一般情况下，层积陶瓷电容器的esr和等效串联电感（esl)越低越好。但sun表示，如果esr较低，阻抗频率特性表现出的共振就会过于突出（q値过高），使反共振点的阻抗变高。这样就会造成高频放射电磁噪音增强。因此，通过将esr设定为较高的值来降低q值，从而降低半共振点的阻抗，便可抑制高频放射電磁噪音。 村田制作所此次展示的试制品其特点是在电极设置于长边的低esl产品中采用了esr控制。esl值因产品而异，不过仅在100p～150ph范围内。外形尺寸为1.6mm×0.8mm×0.5mm，耐压为4v。esr值可支持100m～1000mω的范围。该公司解说员表示，“由于客户的要求各不相同，因此根据esr值的不同来准备多种标准产品是很困难的事情。而现在则可按照客户的要求来进行定制”。静电容量值因esr值而有少许不同，不过均在1μf左右。 tdk展出了外形尺寸为1.6mm×0.8mm×0.8mm的“1608”型，以及2.0mm×1.2mm×0.85mm的“2012”型esr控制产品。esr值方面，1608型可在最大

电容的基础知识

电容 体积比cbb更小，其他同cbb，有感 电解电容 两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。 容量大。 高频特性不好。 钽电容 用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。 稳定性好，容量大，高频特性好。 造价高。（一般用于关键地方） 六、电容的标称及识别方法 1. 由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uf＝1nf，如果是10n，那么就是10nf，同样100p就是100pf。 2. 不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pf，如350为350pf，3为3pf，0.5为0.5pf 3. 色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一， 二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pf） 颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，也有用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。 好，电容的基础知识我们

考毕兹振荡器电路图

3两端。射极分压电阻r2、r3提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器c2、c3的控制。晶体sjt起振工作后输入给三极管vt基极l499khz正弦波信号，由射极输出器vt输出，经耦合电容c4送入电位器rp输出。电阻r1把18v电压降压供给vt一个合适的偏置电压，适当调节电阻r1可使考毕兹振荡器工作在软激励状态。电阻r4、电容c5为专耦电路。调节电容c1，可将振荡器精密的微调在工作频率上。调节电位器rp，可改变振荡信号输出电平的大小。 元器件选择：电容cl为5～20p，c2为51p，c3、c6为100p，c4为15p，c5为100μ／32v。电阻rl为62kω，r2为300ω，r3为2．4kω，r4为360ω，1／2w，r5为15kω。电位器rp选4．7kω。三极管vt为3dgl20c，65≤β≤115。稳压二极管vd用2cw58。晶体sjt选用ja5b型-1499hz。 来源:university

70MHz并联晶体振荡器电路图

如图为70mhz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管vtl、晶体sjt及电容cl、c5等元件组成。 元器件选择： 电容cl为20p，c2为100p，c3、c7为820p，c4为56p，c5、c8为47p，c6为47μf／50v。电 感ll为22μh(色码电感)，l2为0．3μh。电阻rl为1．6kω，r2为1kω，r3为750ω，r4为 180ω、1w，r5为1．3kω，r6为3kω，r7为360ω，r8为470ω，r9～r12为300ω、2w。三极管vtl、vt2选3dg828，65≤β≤115。晶体sjt用ja98型-70mhz。继电器km为juc-1m。 来源:university

20W单端纯甲类功放

k=20/8.2=2.4ma。由于输入级的晶体管静态工作电流对音质有较大的影响，可以调整该电阻的大小来满足自己的要求。（晶体管静态工作电流小，信噪比高，但是音质发干，低音单薄。如果电流大一些，音质温暖，低音厚实，但是晶体管特有的高频噪声和反映在音频内的电流声也会增加，使信噪比下降。本机取2.4ma还是比较合适的。） 电压放大级： 为了简化电路，本机使用一只三极管bd139，采用共射放大电路，还采用了自举电路。 本级的静态电流可以由下式进行估算：vcc/（1.5k+1.5k)=6.8ma。100p的小电容是做频率补偿用的，容量要尽可能的小，如果没有高频自激，可以不用。（当然由于这个小电容的存在对音质有微妙的调节作用，具体怎样处理，看自己的喜好了。） 为了保证大信号输出时的幅度特性和线性，同时又不增加太多的元件，本机采用了自举电路，由100uf电容和两个1.5k电阻的分压电路组成。在音响界对于自举电路的批评较多，认为它是一种正反馈，对音质的负面影响较大。由于本电路的出道年代较早，设计前提是“简洁至上”，也许在这里考虑的不是那么全面。 输出级： 在原理图的上部的两只mje29

70MHz并联晶体振荡器

如图为70mhz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管vtl、晶体sjt及电容cl、c5等元件组成。元器件选择：电容cl为20p，c2为100p，c3、c7为820p，c4为56p，c5、c8为47p，c6为47μf／50v。电感ll为22μh(色码电感)，l2为0．3μh。电阻rl为1．6kω，r2为1kω，r3为750ω，r4为180ω、1w，r5为1．3kω，r6为3kω，r7为360ω，r8为470ω，r9～r12为300ω、2w。三极管vtl、vt2选3dg828，65≤β≤115。晶体sjt用ja98型-70mhz。继电器km为juc-1m。 来源:university

考毕兹振荡器

c2、c3两端。射极分压电阻r2、r3提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器c2、c3的控制。晶体sjt起振工作后输入给三极管vt基极l499khz正弦波信号，由射极输出器vt输出，经耦合电容c4送入电位器rp输出。电阻r1把18v电压降压供给vt一个合适的偏置电压，适当调节电阻r1可使考毕兹振荡器工作在软激励状态。电阻r4、电容c5为专耦电路。调节电容c1，可将振荡器精密的微调在工作频率上。调节电位器rp，可改变振荡信号输出电平的大小。元器件选择：电容cl为5～20p，c2为51p，c3、c6为100p，c4为15p，c5为100μ／32v。电阻rl为62kω，r2为300ω，r3为2．4kω，r4为360ω，1／2w，r5为15kω。电位器rp选4．7kω。三极管vt为3dgl20c，65≤β≤115。稳压二极管vd用2cw58。晶体sjt选用ja5b型-1499hz。 来源:university

ccd模拟前端的问题（16bitA/D的精度如何提高？）

ad的模拟输入端对地并了两个100p的电容今天在ad的模拟输入端对地并了两个100p的电容，发现ad的输出有所改善，测得噪声峰峰值大概为20个lsb，但是不知这两个电容会不会把有用信号（1mhz）也给滤掉。现在没有插ccd所以无法得到有用信号，但是我把两个100p的电容接到adclk和地之间，然后测量adclk（1mhz）的波形，发现时钟波形没有大的变化，只是上升时间（和下降时间）由原来的4ns变为8ns，这能否说明两个100p的电容不会把1mhz的有用信号给滤掉？

16bit A/D的问题

在ad输入端对地接了小电容今天在ad的模拟输入端对地并了两个100p的电容，发现ad的输出有所改善，测得噪声峰峰值大概为20个lsb，但是不知这两个电容会不会把有用信号（1mhz）也给滤掉。现在没有插ccd所以无法得到有用信号，但是我把两个100p的电容接到adclk和地之间，然后测量adclk（1mhz）的波形，发现时钟波形没有大的变化，只是上升时间（和下降时间）由原来的4ns变为8ns，这能否说明两个100p的电容不会把1mhz的有用信号给滤掉？ * - 本贴最后修改时间：2005-10-18 23:03:01 修改者：veget

电容感应按键的设计（牛啊）

来也查了些资料:我觉得没那么复杂,是资料上说的.是不是450kc和10p都不重要,重要的是你的人体电容100p是否成为振荡的阻抗.如下: 触摸片悬浮时,10p将450kc阻断,当你的人体电容连入后,利用10p和100p的分压将震荡信号引入你的回路,所以450kc和10p都需要调整.如果你的触摸片大到一定程度,那么就不需要触摸了,可以感应人体的电荷了,不过那需要高压的支持啊

请教为何32768的晶体不起振

100p看看，我用455k的陶瓷振子时超过100p才起振

JTAG电缆下载出错

在你的板子上的tck信号线上加一个100p的电容在你的板子上的tck信号线上加一个100p的电容