100NF/50V,0402
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100NF 10% 16V 0402
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打几个过孔和地平面相连以确保所有器件彼此之间的地参考点有一个直接和低阻抗的路径。这对输出滤波器是尤为重要的。所有的滤波地必须有一个直接路径回流到放大器正下方的地平面。 电源旁路电容 为确保稳定性及抑制噪声和串扰，对电源加旁路电容是非常重要的。放大器的输出级吸收了大量的电流，且开关动作迅速。当输出开关动作时，旁路电容和放大器电源输入引脚之间的寄生电感会产生很大的毛刺，因此寄生电感必须保持尽可能的小。为了能在放大器功率级减小杂散电感和旁路电容之间谐振的影响，须在每个电源输入管脚需使用一个100nf的电容与1uf的电容并联。 100nf的电容必须和ic尽可能的靠近(通常不超过2毫米)。而且，如图1所示，旁路电容必须和ic在同一层，以便减小总路径长(和杂散电感)。1uf的电容须依次放置，和100nf电容紧靠在一起。 图2：利用电路板的底层为100nf电容进行地连接，如此将明显的增加总走线长且对电路板性能会产生不良影响。 还需采用大体积储能电容在放大器的电源输入进行去耦。大体积储能电容的容值依赖于放大器所要求的电流量。大体积储能电容须和放大器以及电源管脚星形连接，且必
打几个过孔和地平面相连以确保所有器件彼此之间的地参考点有一个直接和低阻抗的路径。这对输出滤波器是尤为重要的。所有的滤波地必须有一个直接路径回流到放大器正下方的地平面。 电源旁路电容 为确保稳定性及抑制噪声和串扰，对电源加旁路电容是非常重要的。放大器的输出级吸收了大量的电流，且开关动作迅速。当输出开关动作时，旁路电容和放大器电源输入引脚之间的寄生电感会产生很大的毛刺，因此寄生电感必须保持尽可能的小。为了能在放大器功率级减小杂散电感和旁路电容之间谐振的影响，须在每个电源输入管脚需使用一个100nf的电容与1uf的电容并联。 100nf的电容必须和ic尽可能的靠近(通常不超过2毫米)。而且，如图1所示，旁路电容必须和ic在同一层，以便减小总路径长(和杂散电感)。1uf的电容须依次放置，和100nf电容紧靠在一起。 图2：利用电路板的底层为100nf电容进行地连接，如此将明显的增加总走线长且对电路板性能会产生不良影响。 还需采用大体积储能电容在放大器的电源输入进行去耦。大体积储能电容的容值依赖于放大器所要求的电流量。大体积储能电容须和放大器以及电源管脚星形连接，且必
换器是由基于电容dac的常规逐次逼近转换器组成的,接收的模拟输入范围为0至＋vref（＋2.5v）。另外，此模块还为用户提供片内基准、校准特性，模块内的所有部件能方便地通过3个寄存器sfr接口来设置。总之，adμc812的adc模块具有与一般adc芯片相比拟的性能，并且操作简单、可靠性高，采集速率可高达200khz。 （1）基准电压 a/d转换器的2.5v基准电压既可由片内提供，也可由外部基准经vref引脚驱动。若使用内部基准，则在vref和cref引脚与agnd之间都应当连接100nf电容以便去耦。这些去耦电容应放在紧靠vref和cref引脚处。为了达到规定的性能，建议在使用外部基准时，该基准应当在2.3v和模拟电源avdd之间。 由于片内基准高精度、低漂移且经工厂校准，并且当adc或dac使能时，在vref引脚会出现此基准电压。因此，在进行系统扩展时，可将片内基准作为一个2.5v的参考电源来使用。若要把片内基准用到微转换器之内，则应在vref引脚上加以缓冲并应在此引脚与agnd之间连接100nf电容。 在实际应用中应当特别注意，内部vref将保持掉电直到adc或d
mosfet栅极驱动；脚8pwrgnd，功率信号的基准地电平。图42 stsr3的应用电路分析stsr3同步整流器控制器具体应用于一种90w笔记本电脑稳压电源的实际电路见图4，其直流输出为＋19v，4.74a。开关电源是反激式变换器，原边主芯片采用复合pfc/pwm新品cm6805。图4中给出了详细的阻容数值。下面分别介绍stsr3在电路设计上的一些特点。2.1 ic供电vcc和欠压闭锁输出stsr3的vcc供电范围是4～5.5v，其内部有一个齐纳二极管限制最大的供电电压为58v。需要外接一只100nf瓷介电容器连在脚2（vcc）与脚6（sglgnd）之间，以确保稳定供电。该高频电容器应尽量紧靠芯片。而用另一只100nf瓷介电容器接在脚2（vcc）与脚8（pwmgnd）之间。欠压闭锁输出特性保证了正常的起动，避免了万一在vcc过低时不希望的驱动工作状态。vcc电压也供给输出端驱动器，因此最大的驱动电压设在55v，所以推荐用逻辑栅极门限电平的mosfet。 2.2 同步工作状态stsr3具有一种革新的特性，即内在设计使stsr3能工作在副边没有任何来自原边的同步信号条件下。stsr3的同
/d转换器是由基于电容dac的常规逐次逼近转换器组成的,接收的模拟输入范围为0至＋vref（＋2.5v）。另外，此模块还为用户提供片内基准、校准特性，模块内的所有部件能方便地通过3个寄存器sfr接口来设置。总之，adμc812的adc模块具有与一般adc芯片相比拟的性能，并且操作简单、可靠性高，采集速率可高达200khz。 （1） 基准电压 a/d转换器的2.5v基准电压既可由片内提供，也可由外部基准经vref引脚驱动。若使用内部基准，则在vref和cref引脚与agnd之间都应当连接100nf电容以便去耦。这些去耦电容应放在紧靠vref和cref引脚处。为了达到规定的性能，建议在使用外部基准时，该基准应当在2.3v和模拟电源avdd之间。 由于片内基准高精度、低漂移且经工厂校准，并且当adc或dac使能时，在vref引脚会出现此基准电压。因此，在进行系统扩展时，可将片内基准作为一个2.5v的参考电源来使用。若要把片内基准用到微转换器之内，则应在vref引脚上加以缓冲并应在此引脚与agnd之间连接100nf电容。 在实际应用中应当特别注意，内部vref将保持掉电直到ad
epcos ag公司宣布开发出新款多层串联陶瓷电容(mlsc)。在该电容损坏的情况下可使短路的危险程度降到最低。该产品尤其适用于那些要求电容与电源长时间连接的应用，如汽车电子电路。 此款mlsc采用更为可靠的多层陶瓷电容(mlcc)技术设计，其内部结构基于两个串行连接的电容，即使其中一个因短路而损坏，也不会对整个器件造成短路。此项新技术符合aecq200标准。 该mlsc系列电容中的b37941x (x7r)采用0805规格，额定电压100v的电容容值范围在1nf至100nf，额定电压50v的电容容值在33nf至100nf。低于额定电压时工作温度可达150℃。标准工作温度范围为-55℃至125℃。新器件适用于汽车电子和便携式电子设备及工业电子应用。 此外，b34741x系列还可替代多达5个相同功能的标准电容。这些无铅器件订量达100,000片时，单价为2到4美分(仅供参考)。现有样品提供，并计划于5月中旬实现量产。
56有6个独立通道的adc，所以6个通道同步转换的过程中，需要较多的瞬态电流从avcc流入ad，因此需要较多的能量保证avcc的电源电压的供给，所以在设计上需要配置足够的电容。不恰当的电容设计和电路板设计会对电路的整体性能造成很大的影响。通过实际的测试和试验，推荐以下几种设计方案。 3.5.1 方案一 图7是推荐的可以得到最好性能的电容设计。主要的设计要求包括： (1) vdd，vss，vdrive，dvcc，refcapa，refcapb，refcapc，refin／out管脚都需要一个100nf和10μf的去耦电容； (2) 每个avcc管脚需要配置一个100nf和一个10μf的去耦电容； (3) 在avcc的板级输人端加入一个推荐为22μf以上的去耦电容； (4) 设计单独的avcc电源平面。 3.5.2 方案二 通过一些试验证明，方案一对于设计电路板的排布是一个十分艰巨的任务，为了减少对于板级面积的压力，设计了方案二。其基本可以达到方案一的效果，电路与方案一类似，设计差别为： (1) 每个avcc管脚需要配置一个10μf的去耦电容； (2) 每个avcc管脚需要单独通
720mhz、3.3ma ltc6252/3/4 具有2.75nv/√hz 的低输入参考宽带噪声和280v/μs 转换速率。这种高速性能结合了 dc 精度：输入失调电压在室温条件下为 350uv (最大值)，在 –40°c 至 125°c 温度范围内为1mv (最大值)。该器件采用 2.5v 至 5.25v 工作电压电源，并具有轨至轨输入和输出以及快速输出过驱动恢复功能。 6.5mhz、65ua 的 ltc6255/6/7 也具有轨至轨输入和输出。这些器件是单位增益稳定的，并可驱动高达 100nf 的容性负载。这些器件在 1.8v 至 5.25v 电源电压范围内工作是有保证。最大输入失调电压在 25°c 时为 350uv，而在 –40°c 至 125°c 时为 700uv。应用包括便携式仪表、电池和太阳能供电系统、以及汽车电子设备。 双路 ltc6253 和 ltc6256 采用 2mm x 2mm dfn 和 8 引线 sot-23 封装。还可选择 msop 封装，包括具停机功能的 8 引线和 10 引线版本。单路 ltc6252 和 ltc6255 也具有停机功能，采用了 sot-
保证10ghz以上仍具有良好的emc性能。由于工作频率增加，馈送电容的阻值呈指数级降低。 为了确保安全性，电源插座的塑料底座设置了极性，防止颠倒极性。器件还提供可选的六位置键用于匹配不同电容或不同电压的acara连接器。该电源连接器还集成了正闭锁和导线应变消除功能，以进一步提高安全性。正向闭锁可防止误匹配，而且可以迅速断电用于紧急服务或维修。导线应变消除可防止导线绝缘扩套延长，这样会导致导体裸露，产生电击。 滤波连接器有65-、100-、150-和250a几种额定值，电容值范围在100nf至2,100nf之间，这些连接器符合所有相应ul和en标准要求。 批量达1,000片时，65a/100nf连接器每对售价40美元，150a/250nf每对售价52美元。(以上价格仅供参考)，供货期为4到6周。
的情况下表示ic受潮且吸湿; 52. 锡膏成份中锡粉与助焊剂的重量比和体积比正确的是90%:10% ,50%:50%; 53.早期之表面粘装技术源自于20世纪60年代中期之军用及航空电子领域; 54.目前smt最常使用的焊锡膏sn和pb的含量各为: 63sn+37pb; 55.常见的带宽为8mm的纸带料盘送料间距为4mm; 56. 在1970年代早期,业界中新门一种smd, 为“密封式无脚芯片载体”, 常以hcc简代之; 57. 符号为272之组件的阻值应为2.7k欧姆; 58. 100nf组件的容值与0.10uf相同; 59. 63sn+37pb之共晶点为183℃; 60. smt使用量最大的电子零件材质是陶瓷;61. 回焊炉温度曲线其曲线最高温度215c最适宜; 62. 锡炉检验时，锡炉的温度245c较合适; 63. smt零件包装其卷带式盘直径13寸,7寸; 64. 钢板的开孔型式方形﹑三角形﹑圆形,星形,本磊形; 65. 目前使用之计算机边pcb, 其材质为: 玻纤板; 66. sn62pb36ag2之焊锡膏主要试用于何种基板陶瓷板; 67. 以松香为主之助
bom清单 r1= 120kohm r2= 100kohm r3= 470kohm r4-7= 8.2kohm r5= 6.8kohm r6= 33kohm r7= 150kohm r8= 47kohm c1-2-8= 2.2nf 100v polystyrene c3= 150pf c4-9= 100nf 100v c5-10= 47uf 25v c6= 100nf 100v polystyrene c7= 560pf c11= 150pf c12= 10uf 25v ic1= tl072 来源:admin
以构成大电流开关。当pn结温度达到180度时，开关断开，等器件足够冷却后，再恢复到正常工作状态，为把开关通断时浪涌电流产生的em1抑制到最小，控制开关管的电流上升与下降时间，由片内驱动电路与充电泵电路驱动开关管。tps201系列的短时间限制电流有0.4a,1.2a,2a和2.6a等类型。消耗电流非常小，正常工作时最大消耗电流为100ua,备用时为10ua.有8脚sop和14脚tssop和14脚tssop两种封装类型。 图4-155是tps201应用实例电路，在in端与gnd端靠近器件接入47~100nf陶瓷旁边电容c1,输出负载较重以及大容量电容负载时在输入侧接入大容量电容c3,在输出接入100nf陶瓷旁路电容c2可以改善器件的静态耐压。 来源:lili
topswitch-hx 源极引脚的输入滤波电容的负极端采用单点连接到偏置绕组的回路。使电涌电流从偏置绕组直接返回输入滤波电容，增强了浪涌的承受力。top261ln适配器功率为177w，开放式功率为333w。。在topswitch-hx的控制引脚和源极引脚之间连接一个100nf的电容，此电容应通过较短的走线靠近topswitch-hx放置。除了将100nf的电容连接至控制引脚外，还需要在topswitch-hx 的控制引脚和源极串联一个6.8ω电阻和一个47uf点解电容。电容提供自动重启动时序，并与控制引脚的动态阻抗zc一起共同设定控制环路的主极点。该电容和与之串联的电阻为控制环路的传递函数增添了一个零点，其结果是在大约200hz时进行相位提升，从而改善了电源的宽带。 超薄笔记本适配器电路 超薄笔记本适配器电路 来源:lidy
/n，就叫n分频。实现分频的电路或装置称为“分频器”。这里的分频上针对单频信号而言的。这种分频一般指在数字电路。2、分频是对信号中不同频率成分的各种信号分开，分成几个频率段。实现分频的电路或装置称为“分频器”。这里的是针对由很多不同频率成分组成的混合信号而言的。这种分频一般指音响电路。 材料bom表： r1= 10k欧姆；r2=100k欧姆；r3=680欧姆；r4=1m欧姆；r5-6-7=100k欧姆；r8=47欧姆；r9-10-11=100k欧姆；c1= 1000uf 25v；c2-3= 100nf 100v 陶瓷制的；c4-5= 100pf陶瓷制的；ic1= 4011；t1= 110/220vac //8v 100ma；d1-2= 1n4007；d3= 5.1v 0.5w 齐纳；d4-5= 1n4148。 来源:阴雨
能与pc连用的调频广播电路 如图为能与pc连用的调频广播电路图。该电路中一些电器元件的数值：r1：47kω；r2：22kω；r3：100kω；r4：39kω；r5：47ω；r6~r12：5kω；r13~r21：15kω；c1：39pf电容；c2：47pf电容；c3：2nf电容；c4，c14：220nf电容；c5：22nf电容；c6：10nf电容；c7，c18：180pf电容；c8：150pf电容；c9：100nf电容；c10，c13：330pf电容；c11：220pf电容；c12，c16：3300pf电容；c15，c17：1800pf电容；c19，c21，c22：10mf电容；c20：10nf电容；c23：47mf电容；c24，c25：470mf电容；ic1：tda7000；ic2：lm7805；ic3：lm386；s1开关。 来源:lidy
越高，延时越大。介电常数还会随信号频率变化，频率越高介电常数越小。100m以下可以用4.5计算板间电容以及延时。2、一般的fr4材料的pcb板中内层信号的传输速度为180ps/inch(1inch=1000mil=2.54cm)。表层一般要视情况而定，一般介于140与170之间。3、实际的电容可以简单等效为l、r、c串联，电容有一个谐振点，在高频时(超过这个谐振点)会呈现感性，电容的容值和工艺不同则这个谐振点不同，而且不同厂家生产的也会有很大差异。这个谐振点主要取决于等效串联电感。现在的比如一个100nf的贴片电容等效串联电感大概在0.5nh左右，esr(等效串联电阻)值为0.1欧，那么在24m左右时滤波效果最好，对交流阻抗为0.1欧。而一个1nf的贴片电容等效电感也为0.5nh(不同容值差异不太大)，esr为0.01欧，会在200m左右有最好的滤波效果。为达好较好的滤波效果，我们使用不同容值的电容搭配组合。但是，由于等效串联电感与电容的作用，会在24m与200m之间有一个谐振点，在这个谐振点上有最大阻抗，比单个电容的阻抗还要大。这是我们不希望得到的结果。为减轻这个影响，可以酌情使用esr大些的
关于去藕电容的疑问去藕电容好多是100nf和10uf搭配着用，为什么必须用两种搭配用，还有搭配用的话个数是否要相等，能不能用一两个10uf,用七八个100nf的，谢谢！
在这里三极管就是一个射级跟随器。电容关系不大，也许不接都可以。两个都用100nf的应该也没什么问题的。
lm386的电路做好了,谢谢用386做的功放电路做好了,起初是杂音太大,我没有示波器.猜是电源品质不好.加一100uf和一100nf的电容,问题解决了.但是音质不怎么好.但是电路体积减小了.增益是50db,嘿嘿.
呵呵楼上过虑了，图上写的很清楚c408的值为100nf，储电量很小的一下子就能放光了，所以不会烧三极管的。
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