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  • 变频器故障综合分析与处理方法

    大小确定)判断。 (3)逆变器模块烧坏 中、小型变频器一般用三组igtr(大功率晶体管模块);大容量的机种均采用多组igtr并联,故测量检查时应分别逐一进行检测。igtr的损坏也可引起变频器oc(+pa或+pd或+pn)保护功能动作。逆变器模块的损坏原因很多:如输出负载发生短路;负载过大,大电流持续运行;负载波动很大,导致浪涌电流过大;冷却风扇效果差;致使模块温度过高,导致模块烧坏、性能变差、参数变化等问题,引起逆变器输出异常。如一台frn22g11s-4cx变频器,输出电压三相差为106v,解体在线检查逆变模块(6mbp100rs-120)外观,没发现异常,测量6路驱动电路也没发现故障,将逆变模块拆下测量发现有一组模块不能正常导通,该模块参数变化很大(与其它两组比较),更换之后,通电运行正常。又如mf-30k-380变频器在启动时出现直流回路过压跳闸故障。这台变频器并不是每次启动时,都会过压跳闸。检查时发现变频器在通电(控制面板上无通电显示信号)后,测得直流回路电压达到500v以上,由于该型变频器直流回路的正极串接1只sk-25接触器。在有合闸信号时经过预充电过程后吸合,故怀疑预

  • 微波功率器件材料的发展和应用前景

    小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高等特点,而且gaas是直接带隙,禁带宽度大,因而器件的抗电磁辐射能力强,工作温度范围宽,更适合在恶劣的环境下工作。由于gaas器件具有以上优点,gaasmesfet已几乎占领了微波应用的各个领域。 20世纪九十年代中后期对于sic材料的研究表明,它的性能指标比gaas器件还要高一个数量级。sic与其他半导体材料相比,具有下列优异的物理特点:高的禁带宽度(4h-sic,3.2ev),高的饱和电子漂移速率(2×107cm·s-1),高的击穿强度(4×106v·cm-1),低的介电常数和高的热导率4.9w·(c m·k) -1 [16,17]。上述这些优异的物理特性,决定了sic在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流条件下,sic器件的漂移区电阻要比si低200倍。其功率密度是si和gaas的3~4倍,热导性能是si的3倍,是gaas的10倍。用sic材料制造的mesfet的射频(rf)功率密度达到4.6w·mm-1,功率效率(pae)达到65.7%,击穿电压超过100v,sic的型体非常多,在半导体应用时4h-s

  • PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

    文献[6,12]吻合)。分析指出,因为加正、负栅压时,衬底表面层状态不一样,故其相应的eb有偏差。以n型为例,当栅极加正偏压时,在si-sioxny界面处的衬底表面层形成多子堆积,使得正偏较小时就有大量电子通过隧道效应注入到绝缘层,容易产生雪崩击穿,故月、值就较小;而当栅极加较小负偏压时,则在si衬底表面层形成多子耗尽,负偏增加,耗尽层宽度增宽,负偏再增大时,衬底表面层转变为少子反型状态,随着负偏压的继续增大,mis结构才被击穿,所以eb值相当大。通常热氧化(干氧)制成的sio2膜eb=7.0×106v·cm-1[13]。本研究获得的召。与其对比看出,pecvd低温形成的膜结合退火致密处理,在适宜电极偏置下,其耐压性能可达到甚至超过热氧化制成的sio2膜,显见pecvd低温形成纳米级薄介质膜有其广泛应用前景。综合实验结果得出,采用dp-80型平板式反应系统和pecvd法低温形成击穿的电学特性优良。纳米级sioxny薄介质膜的优化工艺条件:淀积成膜频率13.56mhz,功率5w(密度≈0.01lw·cm-2),反应室气压46.55pa,衬底温度350℃,在反应气体(sih4:nh3:n2o=10

  • 变频器故障综合分析与处理方法

    阻值大小确定)判断。 (3)逆变器模块烧坏 中、小型变频器一般用三组igtr(大功率晶体管模块);大容量的机种采用多组igtr并联,故测量检查时应分别逐一进行检测。igtr的损坏也可引起变频器oc(+pa或+pd或+pn)保护功能动作。逆变器模块的损坏原因很多:如输出负载发生短路;负载过大,大电流持续运行;负载波动很大,导致浪涌电流过大;冷却风扇效果差;致使模块温度过高,导致模块损坏、性能变差、参数变化等问题,引起逆变器输出异常。如一台frn22g11s-4cx变频器,输出电压三相为106v,解体在线检查逆变模块(6mbp100rs-120)外观,没发现异常,测量6路驱动电路也没发现故障,将逆变模块拆下测量发现有一组模块不能正常导通,该模块参数变化很大(与其它两组比较),更换之后,通电运行正常。又如mf-30k-380变频器在启动时出现直流回路过压跳闸故障。这台变频器并不是每次启动时,都会过压跳闸。检查时出现变频器在通电(控制面板上无通电显示信号)后,测得直流回路电压达到500v以上,由于该型变频器直流回路的正极串联1只sk-25接触器。在有合闸信号时经过预充电过程吸合,故怀疑预充

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