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虑到负载动态响应要求及输出阻抗，设定满载时占空比为0.38；变压器原、副边匝比为n1:n2=56:5，选用philips公司生产的铁芯efd30-3f3；其他器件参数如下： 原边开关管s2、s3：stp12nm50fp；续流二极管d2、d3：mur160； 副边开关管s4、s5：fairchild公司fdp038an06a0, 3.8mw/80a/60v； 输出滤波电容co：rubycon zl series，1500uf/16v； 输出滤波电感lo：20uh；开关频率：180k hz。 3.2 试验结果 图4为vi=90v时pfc满载输入电压及输入电流试验波形，可以看出输入电流波形的正弦性好，经测定功率因数pf值大于0.99；图5为双管正激直流变换器输出滤波电感前端电压vg、原边下管s3漏源电压vds3的试验波形，由图可知在原边开关管s2、s3开通前，s3的漏源电压vds3=vb/2。由于s2、s3的漏源电容实际不为零，vds3（以及vds2）从vb下降到vb/2是通过其漏源电容和变压器激磁电感谐振来完成的，故vds3下降（从vb到vb/2）需要一定的时间
na（慢启动/芯片使能）管脚和agnd（模拟地）管脚之间加一个小电容（css）能够达到延长启动时间的目的，延迟时间的计算公式为 2.3 设定转换频率 转换频率可以被设定为固定的350khz或550khz内部振荡器频率，也可以被设定为可调的280khz~700khz.振荡频率的设定由sync和rt管脚共同决定，当sync悬空或接地，而rt悬空时，转换频率为350khz;当sync接入大于2.5v的电压，而rt悬空时，转换频率为550khz;当sync悬空，而rt与地之间接入68k到180k之间的电阻时，转换频率为可调的280khz~700khz. 转换频率的计算公式为 式中：fsw为转换频率；r为端接在rt引脚上的电阻值。 2.4 过电流保护 判断电流流向，当电流从vin流向ph时，启动高端场效应管和差分放大器，器件能够感知流经高端场效应管和差分放大器的电流，并将之与过电流门限进行比较，限流操作在每开关周期内进行。当达到限流门限时，高端场效应管会在200ns时间内关断，在吸收电流过量时，由热关断电路进行负载保护。 2.5 热关断 当温度超出
阻r1和r2选择的准则是使得分压器电流近似于7μa。推荐的r2的阻值为169kω，r1的阻值根据所需的输出电压来调整（一般为82kω）。因为fb端的漏电流会引起误差，所以应当避免使用较大值的r1与r2。根据上述关系式可得到r1的表达式，r1＝（v0／vref-1）×r2，得到不同输出电压对应的r1阻值如表所示，表中电阻单位为kω。 表 输出电压 注：符合表中阻值的电阻属于高精度电阻。实际中可以使用普通阻值的电阻，例如，对于1．8v电压输出，可以选择r1＝82kω与r2＝180kω的值。 tps7333的应用和tps7301的应用基本一致，请参照有关芯片手册。详细的tps7301和tps7333的电压转换连接如图2所示。 图2 tps7301和tps7333的连接 欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com） 来源:ks99
数据 以下是两个高增益仪表放大器max4028的试验，一个试验只使用rejustor，另一个试验rejustor和电阻一同使用，可以得到明显改善的高增益测试结果。利用外置rejustor提供360倍的增益 在第一个测试电路中(图2)，max4208由±2.5v双电源供电，ref引脚接gnd。增益设置电阻r1由两个并联的1kω rejustor组成(rj1 = 1kω||1kω = 500ω)。增益设置电阻r2由两个串联的90kω rejustor组成(rj2 = 90kω + 90kω = 180kω)。此设计能提供大约361v/v的增益。由于生产误差，实际测量的增益为350v/v。试验中使用的rejustor是标准的低温度系数电阻(tcr)、双rejustor封装形式：mbd903a (90kω × 2)和mbd102a (1kω × 2)，均为so封装(也提供qfn封装)。 实验装置如下所示： 可容纳两个rejustor的zif插槽，易于更换rejustor mbk-408 trim-kit national instruments的cdaq和ni-9205 adc a
能。 此外，altera的stratixii器件是高性能fpga，支持向结构化asic的低成本、低风险移植，以降低成本。消费类电子生产商可以利用高性能stratixii系列快速进行原型开发，然后，并采用altera的hardcopy结构化asic流程，迅速移植为结构化asic。 altera的stratixii器件是业界唯一的高性能fpga，支持向结构化asic的低成本、低风险移植，以降低成本。stratixii器件采用1.2v、90nmsram（静态随机存储）工艺技术生产，具有180k逻辑单元(le)、9mbit ram（随机存储）和384个18×18乘法器。消费类电子生产商可以利用高性能stratix ii系列来启动设计，快速进行原型开发，然后，采用altera的hardcopy结构化asic流程，迅速移植为结构化asic。hardcopy和hardcopy ii器件是业界风险最低、产品面市最快的解决方案。 高清电视采用stratix ii将缩短面市时间，实现低成本hardcopy结构化asic。而navman航海gps产品经理shane dooley表示，采用运行
国柏林举行的国际电子消费品展览会上，三星正式发布了galaxy note2。 外形上，note2与s3相似，但比s3边框更窄，也更长。三星重点介绍了s pen，并建议用户尽量使用s pen操作手机。 配置方面，新note采用了1.6ghz四核处理器和2g内存，屏幕为5.5寸1280x720的分辨率，材质为hd super amoled，摄像头800万，支持nfc功能，搭载了android4.1操作系统，电池容量为3100man。另外，机身厚度依然维持在10mm以下，为9.4mm，重约180k。 三星表示，新note将于10月在128个国家不限量发售，中国出现在第一批发售名单之中。
稳压器电路如图4-7所示。所需元件：l用30w至40w日光灯铁芯镇流器。c用5.5u400v无极性交流电容。泄放电阻r1为180k、1w.限流电阻r2为3m、1/2w,氖管hl为指示灯。 稳压器组装完成后，可用30w左右的灯泡做假负载试之，用调压器使稳压器输入电压在140至250v间变化，稳压器输出端电压应在190~240v之间为合格，若输出电压偏低或偏高，可用增减电容c的容量来达到。 当电视机工作结束后，应关闭稳压器电源开关，否则会浪费电能。 只要按图焊接无误，一般情况即可正常工作。 来源:lili
流电过零时即关断。这时vd5反偏截止，q1输出的高电平又可通过vd1、r3再向c4充电，当c4两端电压重新达到vtr时，经反相器ⅲ、ⅳ两次反相又能使vs开通。所以在交流电的半个周期内，c4都有一个充电和放电的过程，c4充电时间，vs关断；c4放电时间，vs开通。c4充电时间愈短，vs在半个周期内导通时间愈长，即导通角大，电灯h两端电压愈高，电灯就愈亮。q1为高电平时，c4的充电电阻为r3（100kω），充电电阻最小，c4两端电压较早达到vtr，故彩灯亮度最大；q2为高电平时，充电电阻稍大为r4（180kω），故vs导通角较小，彩灯亮度稍暗；q3为高电平时，c4充电电阻最大为r5（220kω），vs导通角最小，彩灯亮度最暗；q0为高电平时，vs关断，彩灯熄灭。所以彩灯能按最亮、稍亮、暗光和熄灭方式循环。 vs用mcr100-8小型塑封单向可控硅（1a／600v）。vd1－vd4可用1n4148型硅开关二极管，vd5、vd7－vd10要用ln4004型硅整流二极管，vd6用12v、1／2w稳压二极管，如2cw19型等。h可用市售彩灯链。rp可用wh5型小型合成碳膜电位器，其余阻容元件无特殊要
请教为何接受不到信号？在下图中如果在c1端输入信号发生器的180k左右正弦波，在out端能得到放大的波形。现在用一现成产品的发射装置发声180k信号，该信号我用示波器量过，和信号发生器信号频率幅度一样，在out端就是接受不到任何波形。是接受天线还是什么原因造成的啊？能不能指导下有那些原因会造成这种现象呢？
你的电容靠什么充电？把180k电阻改接电源 * - 本贴最后修改时间：2006-8-25 10:23:39 修改者：bald
才180k频率，电感太小吧？
普通电位器的精度就差得远了真的在乎那0.1v的计算值？可在r2并联180k电阻。
我的32768晶体（kds产）是不是用的太好了？我使用的单片机是pic16c72a dip28 用32768做实时时钟，加20p电容2只工作时测osc2脚波形畸变严重，后串180k电阻才能观测非常漂亮的正弦波请问我的32768晶体（kds产）是不是用的太好了？
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