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AT49SN6416
读/写操作电压范围：1.65～1.95V；高性能：随机存取时间：70ns，页模式读取时间：20ns，同步突发频率：66MHz，配置突发脉冲操作；扇区擦除架构：8个具有个别写锁定的4K字扇区，127个具有个别写锁定32K字主扇区；典型的扇区擦除时间：32K字的扇区需700ms，4K字的扇区需200ms； 4层结构：当其他3层并行读操作时不被编程/擦除：寄存器层A：寄存器的25％，包括8个4K字扇区；寄存器层B：寄存器的25％，由32K字的扇区组成；寄存器层C：寄存器的25％，由32K字的扇区组成；寄存器层D：寄存器的25％，由32K字的扇区组成；低功耗操作：正常工作时为30mA，待机时为35μA；用于写保护和加速编程操作的VPP引脚，用于设备初始化的RESET引脚；封装：56引脚的CBGA封装；顶部或底部的启动块配置提供； 128位保护寄存器；共用闪存接口（CPI）

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