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AT49SN6416T-70CI中文资料

  • AT49SN6416T-70CI

    AT49SN6416T-70CI引脚图读/写操作电压范围：1.65～1.95V； 高性能：随机存取时间：70ns，页模式读取时间：20ns，同步突发频率：66MHz，配置突发脉冲操作； 扇区擦除架构：8个具有个别写锁定的4K字扇区，127个具有个别写锁定32K字主扇区； 典型的扇区擦除时间：32K字的扇区需700ms，4K字的扇区需200ms； 4层结构：当其他3层并行读操作时不被编程/擦除：寄存器层A：寄存器的25％，包括8个4K字扇区； 寄存器层B：寄存器的25％，由32K字的扇区组成； 寄存器层C：寄存器的25％，由32K字的扇区组成； 寄存器层D：寄存器的25％，由32K字的扇区组成； 低功耗操作：正常工作时为30mA，待机时为35μA；用于写保护和加速编程操作的VPP引脚，用于设备初始化的RESET引脚； 封装：56引脚的CBGA封装； 顶部或底部的启动块配置提供； 128位保护寄存器； 共用闪存接口（CPI）；工作温度范围：工业级温度－40～85℃； 存取时间：70ns

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