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AT52BC6402A-70CI中文资料

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    AT52BC6402A-70CI引脚图层叠式存储模块功能:64M Flash+16M PSRAM,电源电压:2.7~3.1V; 数据1/O×16.66引脚的CBGA封装; 64MFlash功能:64M(4M×16)Flash寄存器; 读/写操作电压范围:2.7~3.1V; 高性能:异步存取时间:70/85ns; 扇区擦除架构:8个带有个别写锁定的4K字扇区,带有个别写锁定的32K字主扇区; 典型的扇区擦除时间:32K字扇区需500ms,4K字扇区需100ms; 64M,4层结构,当其他3层并行读操作时不被编程/擦除:寄存器层A:寄存器的16M,包括8个4K字扇区; 寄存器层B:寄存器的16M,由32K字的扇区组成; 寄存器层C:寄存器的16M,由32K字的扇区组成;寄存器层D:寄存器的16M,由32K字的扇区组成; 低功耗操作:正常工作时为30mA,待机时为35μA; 用于写保护和加速编程操作的VPP引脚,用于设各初始化的RESET引脚;顶部或底部的启动块配置提供; 128位保护寄存器; 共用闪存接口(CFI); 16M PSRAM功能:16M(1M×16);操作电压范围:2.7~3.1V; 读取时间:70ns;Flash启动块:底部启动;工作温度范围:工业级温度-40~85℃; 存取时间:70ns

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