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高密度NAND Flash存储器:符合大容量存储应用;NAND接口:×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容; 电源电压:3.3V设备Vcc=2.7~3.6V; 存储器单元阵列:(2K+64)字节×64页×1024块,(1K+32)字×64页×1024块; 页面大小:(2K+64备用的)字节;时钟大小:(128K+4K各用的)字节; 页面读/编程:随机存取:27μs(最大值),顺序存取:60ns(最小值),页编程时间:300μs(典型值); 复制回编程模式:不受外界缓冲的快速页面复制;高速缓存编程模式:改善编程吞吐量的内部高速缓存; 快速块擦除:块擦除时间:2ms(典型值); 电子特性:制造商代码,设备代码;芯片使能随意选项:具有微控制器的简单接口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除被锁定;数据的完整性:100000次编程/擦除周期,10年的数据保留;封装:48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装
arm读写nand flash出现问题,请教大家我使用的nand flash是现代的hy27uf081g2m,与三星的k9f1g08u0a管脚一样。但是无法读出正确的id号,下面我给出了电路连接关系和源程序,大家帮我分析分析,不甚感激。电路图连接关系如下: arm的d[0:7]---nand flash的d[0:7] arm的读信号/rd---nand flash的读信号/rd arm的写信号/wr---nand flash的读信号/wr arm的选通信号/cs2---nand flash的片选信号/cs arm的gpio1---nand flash的信号r/b arm的地址信号a2--nand flash的信号ale arm的地址信号a1--nand flash的信号cle对应的操作地址: 命令输入:0x04000002 地址输入:0x04000004 数据操作:0x04000000源代码:int8u nf_readbyte(){ int8u ret; ret=*((volatile int8u*)(0x04000000)); return r