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HY27US08121M价格行情

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HY27US08121M中文资料

  • 基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在线烧录系统

    号脚。对于市场上的专用烧录器件而言，其烧录速度的瓶颈在于数据传输。目前，大多数烧录器的数据传输速度都很低且自身缓存很小。烧录过程中需要与pc频繁进行数据通信，故在烧录比较大的文件系统时，需要花费很长的时间，而且操作极为复杂，更主要的是不能在线烧写，一但制成成品而需要更新时，就必须将flash芯片拆卸下来，而对于本系统而言，pci的传输带宽可以达到133 mb／s，即使是很大的文件系统，也能很快传输完毕，此外，由于是在线烧录，不需要对flash进行拆卸，因此，对于产品的更新极为方便。本系统中选用的hy27us08121m nandflash为三星公司生产的一款64mb flash，该器件的块擦除时间为2ms，页写入时间为0.5 ms，可以实现高速读写。 3 系统软件 目前市场上flash的存储空间均以块为单位进行管理，每一块大小为32页，每页包含512字节的有效数据空间和16字节的spare空间，其中有效数据用来存放实际数据，spare区间则用来存放有效数据的附加描述信息(ecc，坏块信息、索引编号等等)。不同的文件系统有各自不同的数据结构，其中最主要的两部分为ecc和坏块信息。坏块信息通常用该块的第0

  • 基于DSP PNX1501的NandFlash在线烧录系统

    号脚。对于市场上的专用烧录器件而言，其烧录速度的瓶颈在于数据传输。目前，大多数烧录器的数据传输速度都很低且自身缓存很小。烧录过程中需要与pc频繁进行数据通信，故在烧录比较大的文件系统时，需要花费很长的时间，而且操作极为复杂，更主要的是不能在线烧写，一但制成成品而需要更新时，就必须将flash芯片拆卸下来，而对于本系统而言，pci的传输带宽可以达到133 mb／s，即使是很大的文件系统，也能很快传输完毕，此外，由于是在线烧录，不需要对flash进行拆卸，因此，对于产品的更新极为方便。本系统中选用的hy27us08121m nandflash为三星公司生产的一款64mb flash，该器件的块擦除时间为2ms，页写入时间为0.5 ms，可以实现高速读写。 3 系统软件 目前市场上flash的存储空间均以块为单位进行管理，每一块大小为32页，每页包含512字节的有效数据空间和16字节的spare空间，其中有效数据用来存放实际数据，spare区间则用来存放有效数据的附加描述信息(ecc，坏块信息、索引编号等等)。不同的文件系统有各自不同的数据结构，其中最主要的两部分为ecc和坏块信息。坏块信息通常用该块的第0页或

  • HY27US08121M

    HY27US08121M引脚图高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用； NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.61/； 存储器单元阵列：528字节×32页×4096块； 页面大小：(512＋16备用的)字节； 时钟大小：(16K＋512备用的)字节； 页面读/编程：随机存取：12μs(最大值),顺序存取：50ns(最小值),页编程时间： 200μs(典型值)； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制； 高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms(典型值)； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定；数据的完整性：100000次编程/擦除周期,lO年的数据保留时间；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装

  • 基于DSP芯片PNX1501的NandFlash在线烧录系统

    号脚。对于市场上的专用烧录器件而言，其烧录速度的瓶颈在于数据传输。目前，大多数烧录器的数据传输速度都很低且自身缓存很小。烧录过程中需要与pc频繁进行数据通信，故在烧录比较大的文件系统时，需要花费很长的时间，而且操作极为复杂，更主要的是不能在线烧写，一但制成成品而需要更新时，就必须将flash芯片拆卸下来，而对于本系统而言，pci的传输带宽可以达到133 mb／s，即使是很大的文件系统，也能很快传输完毕，此外，由于是在线烧录，不需要对flash进行拆卸，因此，对于产品的更新极为方便。本系统中选用的hy27us08121m nandflash为三星公司生产的一款64mb flash，该器件的块擦除时间为2ms，页写入时间为0.5 ms，可以实现高速读写。 3 系统软件 目前市场上flash的存储空间均以块为单位进行管理，每一块大小为32页，每页包含512字节的有效数据空间和16字节的spare空间，其中有效数据用来存放实际数据，spare区间则用来存放有效数据的附加描述信息(ecc，坏块信息、索引编号等等)。不同的文件系统有各自不同的数据结构，其中最主要的两部分为ecc和坏块信息。坏块信息通常用该块的第0

HY27US08121M替代型号

HY27UG084G2M HY27UF081G2M HY27UF081G2A-TPCB HY27UB082G4M HY27UA081G1M HY1417LP HX8817 HX8802 HX8801 HX711

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