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CMOS数字摄像机内部控制系统设计与现
法下载到摄像机中，就可实现用户自己开发的图像预处理功能。数字摄像机图像数据输出接口也有很多种方式，可以采用cameralink接口、以太网接口、usb接口、1394接口等。文中重点描述摄像机的逻辑配置和初始化控制单元的设计，以at89ls8252为控制器完成对fpga的并行配置功能，应用max3232串口芯片和上位机通信，完成接收fpga配置文件和初始化摄像机的参数，并将摄像机内部温度数据发送给上位机。lt1665产生一组cmos传感器需要的8路模拟参考电压。应用dataflashat45db041b保存fpga上电配置文件。温度传感器max6630可获得摄像机内部的工作温度数据，对于摄像机工作环境温度过高的情况，可以向上位机发出报警，并采用制冷措施。摄像机总体结构，见图1。图1 cmos数字摄像机总体框图 fpga并行逻辑配置的mcu实现设计中应用xilinxfpgaxc2vp4为时序逻辑控制单元和图像预处理核心，因此每次fpga上电开始工作前必须将配置文件加载到fpga内部的sram中，这个过程就是fpga的逻辑配置(fpgaconfigu
单片机系统中的汉字显示
机系统的编码。下面以8031单片机系统为例阐述如下：一、硬件组成本系统中采用香港精电公司的内置t6963控制器[1]的240128t点阵图形液晶显示器。该显示器1行为240点，能容纳16×16点阵的汉字15个，总列数为128点，能显示8行汉字。为了使用mcu操作可使用1片512kb的存储器（如本系统中的29f040）用来存储全部的国标16×16点阵汉辽、8×16的ascii码点阵数据以及汉字语句编码数据。为了降低成本和减小体积，对于速度要求不是很高的场合也可采用大容量的串行数据存储器，如at45db041b。具体的硬件控制电路如图1所示（与汉字显示无关的电路略）。由于29f040的容量为512kb，而5031微控制器只能管理64kb的数据间，所以可将29f040分成16页，每页32kb，占单片机系统数据空间的8000h～0ffffh（剩余32kb为单片机系统的其他存储器和外设）。页码由单片机的p1.0～p1.3选择。液晶显示器的地址为7ff8h～7ff9h。二、汉字显示原理及软件设计 ucdos软件中的文件hzk16和文件asc16分别为16×16的国标汉字点阵文件和8×16的ascii码点
基于无线传感器网络的温室测控系统研究设计
含两个相同的部分，分别安装在电路板的两侧可以实现模块堆叠扩展。按照该接口设计出的传感器节点，可以直接使用crossbow 公司和各个研究机构设计的大部分传感器模块。虽然atmega128l 微控制器自带了4kb 的eeprom 数据存储区域，但是对于传感器节点来说，拥有一个相对容量更多的、永久的数据存储区域是十分必要的。例如远程节点代码的自动更新、节点配置信息的保存等都需要更多的存储空间才能得以应用。为了实现传感器网络系统状态监测组件中的日志模块，传感器节点的设计中使用了额外的at45db041b 非易失flash 存储器，其大小为512kb. 传感器节点采用两节aa 电池供电，为了降低成本，模块未采用专门的监控芯片来进行掉电保护。 3. 2 汇聚节点的设计在温室测控系统中，汇聚节点是传感器网络与管理节点或者其他外部网络通信的桥梁，在无线传感器网络中起到网关的作用。汇聚节点的硬件结构如图3 所示。图3 汇聚节点的硬件结构作为一款arm 处理器，pxa270 采用基于ar2mv5te 的xscale 架构，提供了强大的处理功能。与pxa25x系
中文输入法在B超系统中的实现
对汇编文件进行编译——生成bin文件，然后用编程器将bin文件烧录到芯片。在使用时是读取芯片中的汉字点阵数据，将其写到字符存储器中。如果需要显示的字少，点阵数据就少，将数据烧录到程序存储器即可。实现中文输入法，显示的字比较多，数据量比较大，需要专门生成字库数据，放入扩展的数据存储器中。构造汉字库，通常有如下方法：使用程序空间做小字库；使用大容量的rom芯片专门做汉字库，这种方法在小型便携式设备中一般不采用；为了降低成本和减小体积，对于速度要求不是很高的场合可采用大容量的串行数据存储器，如at45db041b。 ucdos软件中的文件hzk16和文件asc16分别为16×16的国标汉字点阵文件和8×16的ascii码点阵文件，以二进制格式存储。最常用的ascii码点阵为5×7（横向5个点，竖向7个点）或7×9。对于给定字体的字符，字形的点数越多，字形的质量越好，而所需的数据量越大，占用存储空间越多。对于不同的显示系统，要显示同一图形，所需的数据排列顺序各不相同，现有的hzk16和asc16文件不一定能直接应用到自己的系统中，常用的方法是用排列方式可自由定义的字模软件取数据再放入程序或数据存储区。

AT45DB041B
单2.5～3.6V或2.7～3.6V电压；串行外设接口（SPI）兼容；20MHz的最高时钟频率；编程操作：单周期再编程（擦除和编程），2048页（264字节/页）主存储器；支持页和块擦除操作；2个264字节SRAM数据缓冲器，当非易失性存储再编程时允许接收数据；通过整个阵列连续读能力：理想的代码跟踪应用；低功耗：典型的4mA工作读电流，典型的2μACMOS待机电流；硬件数据保护功能；100%兼容AT45DB081和AT45DB081A；5.0V容错输入：SI，SCK，CS，RESET和WP引脚；商业级和工业级温度范围

我读写AT45DB041B的BUFFER1出现怪问题。
我读写at45db041b的buffer1出现怪问题。我先写向at45db041b中连续写入0x30，0x31，0x32，0x33，0x34，0x35，0x36，0x37。在串口接收中断中，读flash中的这八个值并向上位机发送。结果上位机显示0x30，0x30，0x32，0x32，0x34，0x34，0x36，0x36。这是什么原因？有经验的师兄帮分析一下。程序：写入flash中：spics_low;spiclk_low; //clk=0writebuff_onebyte(writebuffer1);//opcodewritebuff_onebyte(0x00); //address 3 address byte writebuff_onebyte(0x00);writebuff_onebyte(0x01);for(j=0;j<8;j++) //连续写入八个字节到buffer中去 writebuff_onebyte(data232[j]);读出并发送：spiclk_high;
请教高手：汽车内部设备之间采用什么样的无线传输方案比较合适？
at45db041b spi flash 存贮器的调试日志at45db041b spi flash 存贮器的调试日志
Flash的调试问题
flash的调试问题我自己用lpc2144做了一块板子，存储器用的是at45db041b spi flash ，flash的读写程序我已经写好，在ads中我不知道如何调试flash？请各位指教，谢谢了！
不知道怎样将at45db041b芯片中的数据读出来
不知道怎样将at45db041b芯片中的数据读出来小弟是学生，学校现在学不到什么东西，最近在学习这款芯片，想法是将该芯片中的数据读到最好是ｕｓｂ芯片中，不知道这种想法合不合理，如果合理，不知道应该怎么做，望各位前辈能指点一下，谢谢了～～～～
急！5402用串行FLASH启动不成功
re：看看是不是时序问题。5402采用串行引导时，bootloader首先发送8位读命令03h，然后发送16位地址，然后接收8位存储器数据。25f020等串行flash读命令是03h，地址需要24位。at45db041b没用过，大略看了一下，好像命令和大多数串行存储器不兼容。建议使用串行eeprom试一试，命令和时序与5402要求的一样。

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中文输入法在B超系统中的实现

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请教高手：汽车内部设备之间采用什么样的无线传输方案比较合适？

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