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多功能汽车行驶状态记录仪的设计

摘要：介绍了一种多功能汽车行驶状态记录仪的主要功能及其硬软件设计，并针对其工作环境中电磁干扰强烈的实际情况，提出了具体的解决措施。该记录仪以单片机c805lf005为监控核心，采用串行时钟max6902作为实时时钟，大容量串行flash存储器at45db081b作为存储介质，可对汽车行驶状态进行实时监测和记录；记录数据可通过rs232串行口上传到上住机，以进行日常管理和事故诊断。 关键词：行驶状态记录仪c805lf005 max6902 at45db081b事故诊断 随着飞机飞行数据记录仪在空运管理方面的成功运用，汽车行驶状态记录仪已陆续在许多国家和地区大量使用。早在1990年以前，欧共体就通过了在汽车上安装行驶状态记录仪的立法，并具体规定了商用车必须安装行驶状态记录仪。这一立法要求其欧洲的15个成员国在十年内给在用的900万辆商用车安装这一装置。美国、日本、马来西亚及香港等国家和地区也相继广泛使用了汽车行驶状态记录仪。统计资料表明，汽车行驶状态记录仪的使用，使交通事故率降低了37％~52％，大大减少了人员伤亡和财产损失，产生了显著的社会效益和经济效益。可见，准确记录运行过程，对事故防患

AT45DB081B在数据采集系统中的应用

可以分为数据缓冲模块、控制单元和flash存储模块三个部分，其系统结构框图如图1所示。图中数据缓冲模块负责对端口数据进行缓冲，以满足flash存储器的传输要求。控制单元可按照flash存储器的控制要求，对flash的读写、擦除操作进行控制。在存储开始后，flash的控制单元将数据缓冲模块中的数据存入相应的flash存储器中，直到计数器计到设定的数值为止。在本系统中，一次存储只对一组数据进行操作，这样可以保证各组数据之间不出现覆盖，以增加存储的有效性和可靠性。 2 flash芯片at45db081b at45db08lb是atmel公司推出的串行flash存储器，该芯片采用串行外围接口，具有体积小、容量小、功耗低和硬件接口简单的特点，易于构成微型低功耗测量系统。at45db081b的最大时钟频率可达20mhz，它支持页和块(1块=8页)擦除功能，有4096页，每页264b容量，并具有两个264b缓冲区。 at45db081b的相关操作包括读主存储页、主存储页数据拷贝到缓冲区、主存储页与缓冲区数据比较、缓冲区数据写入主存储页、页擦除、块擦除、页编程和页重写读、缓冲区、写缓冲区和读状态寄存

基于LPC2124的一个远程系统软件升级方案

／写操作。这为数据存储和固件的现场升级带来了极大的灵活性。 2 iap功能的硬件设计 基于lpc2124的以上3种编程方法的分析，iap实现对终端程序升级自然是最佳选择方案。下面介绍一种基于gprs的远程iap系统方案，系统框图如图2所示。 at45db08081b，8mb串行flash存储器，兼有rom的掉电数据保存和ram的读／写速度，最快支持20mhz的时钟频率，擦写次数达10000次，内置2个264字节sram缓冲器，使得对主存储体的编程可以连续进行，省去编程等待时间。at45db081b采用cason-8封装，支持2.5～3.6 v低电压，操作功耗低，支持模式o和3的spi总线接口，与mcu接口简单，稳定可靠，非常适用于数字语音、图像、程序代码和数据的存储应用中。在本设计中采用模式0与lpc2124通信，速度可达mcu主频的1／8。 gprs模块使用wavecom公司生产的q2406b，双频gprs／gsm模块(egsm900／1800 mhz或egsm900／l900 mhz)，内置tcp／ip，与标准at指令完全兼容；其设计开发符合etsi gsm phase

基于C8051F015的手持式电刺激器系统设计

器，能满足系统对硬件资源的要求。此外，该芯片中带有交叉开关模块，通过设置，可以控制寄存器将片内的计数器/定时器、串行总线、硬件中断、adc转换启动输入、比较器输出以及微控制器内部的其它数字信号配置为出现在端口i/o引脚。这就允许用户根据自己的特定应用选择通用端口i/o和所需数字资源的组合，简化了硬件电路上的设计，提高系统的可靠性，降低生产成本。lcd采用128×64的ym12864 lcd模块。fram使用ramtron公司的fm25256，容量为256k。dataflash使用atmel公司的at45db081b，容量为8m。时钟芯片使用ricoh公司的rs5c348a。采用spi接口的fram、flash和时钟芯片能节省i/o资源。采用这些常用芯片既能减少开支，又可保证货源充足。 c8051f015与fm25256、at45db081b、rs5c348a的接口连接如图2所示。 电源管理芯片的硬件连接如图3所示，,芯片采用max712，图中vin是输入电压，v_b接电池两端，在充电时led打开，系统可以在充电时使用。可由12v直流电源供电并对电池充电，携带时也可由4×1.2v镍铬电池组供电。 升压

浅谈LPC2214的IAP实现方案

ma无线网络接口，扩展串口芯片可以扩展出2路uart，实现本地红外维护和rs485方式的抄表功能。基于lpc2124的以上3种编程方法的分析，iap实现对终端程序升级自然是最佳选择方案。下面介绍一种基于gprs的远程iap系统方案，系统框图如图2所示。 at45db08081b，8mb串行flash存储器，兼有rom的掉电数据保存和ram的读／写速度，最快支持20mhz的时钟频率，擦写次数达10000次，内置2个264字节sram缓冲器，使得对主存储体的编程可以连续进行，省去编程等待时间。at45db081b采用cason-8封装，支持2.5～3.6 v低电压，操作功耗低，支持模式o和3的spi总线接口，与mcu接口简单，稳定可靠，非常适用于数字语音、图像、程序代码和数据的存储应用中。在本设计中采用模式0与lpc2124通信，速度可达mcu主频的1／8。gprs模块使用wavecom公司生产的q2406b，双频gprs／gsm模块（egsmarray00／1800 mhz，egsmarray00／larray00 mhz），内置tcp／ip，与标准at指令完全兼容；其设计开发符合etsi gsm p

AT45DB081B在数据采集系统中的应用

0 引言

在信号采集系统中，往往需要对多种数据波形进行存储、转移或比较，这就要求系统能方便地访问、传输波形数据。FLASH存储器以其体积小、容量大、可随机访问的特点，在系统中得到了很好的应用。本文从实际应用角度出发...

AT45DB081B

单2.5～3.6V或2.7～3.6V电压；串行外设接口（SPI）兼容；20MHz的最高时钟频率；页编程操作：单周期再编程（擦除和编程），4096页（264字节/页）主存储器；支持页和块擦除操作；2个264字节SRAM数据缓冲器，当非易失性存储再编程时允许接收数据；通过整个阵列连续读能力：理想的代码跟踪应用；低功耗：典型的4mA动态读电流，典型的2μACMOS待机电流；硬件数据保护功能；100%兼容AT45DB081和AT45DB081A；5.0V容错输人：SI，SCK，CS，RESET和WP引脚；商业级和工业级温度范围

基于LPC2124的一个远程系统软件升级方案

简单地说就是在应用程序控制下，对程序某段存储空间进行读取、擦除或写入操作。与isp操作非常相似，具有在线编程功能,且克服了isp的不足之处。它可以在应用程序正常运行的情况下对另外一段程序flash进行读/写操作，甚至可以控制对某段、某页甚至某个字节的读/写操作。这为数据存储和固件的现场升级带来了极大的灵活性。 2 iap功能的硬件设计 基于lpc2124的以上3种编程方法的分析，iap实现对终端程序升级自然是最佳选择方案。下面介绍一种基于gprs的远程iap系统方案，系统框图如图2所示。at45db081b，8 mb串行flash存储器，兼有rom的掉电数据保存和ram的读/写速度，最快支持20 mhz的时钟频率，擦写次数达10 000次，内置2个264字节sram缓冲器，使得对主存储体的编程可以连续进行，省去编程等待时间。at45db081b采用cason-8封装，支持2.5~3.6 v低电压，操作功耗低，支持模式0和3的spi总线接口，与mcu接口简单，稳定可靠，非常适用于数字语音、图像、程序代码和数据的存储应用中。在本设计中采用模式0与lpc2124通信，速度可达mcu主频的1/8。

dspic30f6014与AT45DB081B接口

dspic30f6014与at45db081b接口我用dspic30f6014与at45db081b接口，我试了读写buf1都不行，我的程序如下：unsigned int rx_data;unsigned int writebuf1[4]={0x84,0x00,0x00,0x00};unsigned int readbuf1[5]={0x54,0x00,0x00,0x00,0x00};//送数据到 buffer1 void data_to_buf1(){portdbits.rd14 = 1; //给flash芯片一个下降沿portdbits.rd14 = 0; //flash芯片开始工作 putsspi1(4,writebuf1);writespi1(0xaa);portdbits.rd14 = 1; //flash芯片停止工作 }//读 buffer1 数据void read_buf1(){portdbits.rd14 = 1; //给flash芯片一个下降沿portdbits.rd14 = 0; //flash芯片开始工作 putsspi1(5,readbuf1);while(datardyspi1(

转一个Mega8 SPI读写DataFlash的代码，测试好用的

******************;; cs - chip select; sck - serial clock; si - serial input; so - serial output; wp - hardware page write protect pin; reset - chip reset; rdy/busy - ready/busy;; to provide optimal flexibility, the memory array of the at45db081b is;divided into three levels of granularity comprising of sectors, blocks,;and pages. all program operations to the dataflash occur on a page-by-page;basis; however, the optional erase operations can be performed at the block;or page level.;;;the de

:SN74LVC4245A芯片 可不可以用于SPI总线的逻辑电平转换？

:sn74lvc4245a芯片 可不可以用于spi总线的逻辑电平转换？大家帮个忙吧，我的项目想采用这种方案，用5v单片机对3.3v具有spi接口的存储器（at45db081b）操作，不知道有没有风险。

5V单片机对3.3V具有SPI接口的存储器（AT45DB081B）操作,如何接口

5v单片机对3.3v具有spi接口的存储器（at45db081b）操作,如何接口

请问5v 大容量的spi flash 有吗

at45db081b的容量是8mbit，2.7-3.6v ....