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机处理后,关闭igbt管的驱动信号,igbt 管截止。 3 上电延时保护电路 上电延时保护电路原理如图3 所示。 上电保护电路主要由r601、r602、d602、r810、q803等组成。当插上电源后,+310 v 电压经r601、r602 降压,d602 整流后,使q803 导通,使得q801 的基极电压为低电平,igbt 管截止,从而保护igbt 管。 4 电流检测保护及检锅电路 电流检测保护电路主要由:康铜丝jp3、运放ic601(lm358)、r012、c012、r016、c013、r017、vr1、r013、c010、c015 等组成。当电流从igbt 管的e 极(gnd)经康铜丝流回整流桥的“-”端时,在康铜丝上产生相对gnd 的负电压,电压经由r012、c012、r016、ic601 构成的反相放大器放大,再经r017、vr1、r013 分压后输入单片机ic01的辊輴讹脚进行处理,输入单片机的电压与流过康铜丝的电流成正比。r016 为负反馈电阻,c012 为防自激电容,c013、c015 为高频旁路电容,c010 为滤波电容。
,调整l1、l2可使42mhz谐振点损耗低于0.6db,均衡误差优于±0.4db。 图三a、图三b分别是以上两款均衡器在专业射频仿真软件中得到的传输/反射曲线图,与标量网络分析仪实策指标相差不多(测试工装的带宽1000mhz、不平坦的为±0.20db、反射优于-25db)。 二.元件选择 c1、c19、c20选用222/2kv或103/2kv的优质高频高压瓷片电容,该电容的外型尺寸不宜太大,否则会对反射造成影响,以至于难以补偿。c05、c07、c010、c012 、c014、c016选用103/1kv的高频高压瓷片电容;c06、c09、c013选用104/250v的薄膜电容;c08、c011、c015、c017选用224/250v的薄膜电容。电源部分的c01、c03电容分别选用1000uf/63v和470 uf/50v、最高耐温为105℃的优质电解电容;c02、c04选用104/63v的高频瓷片电容。d1—d4可选用1n4004或耐压更高的整流二极管。其他阻容元器件均为0805的表面贴片元件。 三.整机调试及注意事项 c2、c4、c5、c6