t管的驱动信号,igbt 管截止。 3 上电延时保护电路 上电延时保护电路原理如图3 所示。 上电保护电路主要由r601、r602、d602、r810、q803等组成。当插上电源后,+310 v 电压经r601、r602 降压,d602 整流后,使q803 导通,使得q801 的基极电压为低电平,igbt 管截止,从而保护igbt 管。 4 电流检测保护及检锅电路 电流检测保护电路主要由:康铜丝jp3、运放ic601(lm358)、r012、c012、r016、c013、r017、vr1、r013、c010、c015 等组成。当电流从igbt 管的e 极(gnd)经康铜丝流回整流桥的“-”端时,在康铜丝上产生相对gnd 的负电压,电压经由r012、c012、r016、ic601 构成的反相放大器放大,再经r017、vr1、r013 分压后输入单片机ic01的辊輴讹脚进行处理,输入单片机的电压与流过康铜丝的电流成正比。r016 为负反馈电阻,c012 为防自激电容,c013、c015 为高频旁路电容,c010 为滤波电容。
图三a、图三b分别是以上两款均衡器在专业射频仿真软件中得到的传输/反射曲线图,与标量网络分析仪实策指标相差不多(测试工装的带宽1000mhz、不平坦的为±0.20db、反射优于-25db)。 二.元件选择 c1、c19、c20选用222/2kv或103/2kv的优质高频高压瓷片电容,该电容的外型尺寸不宜太大,否则会对反射造成影响,以至于难以补偿。c05、c07、c010、c012 、c014、c016选用103/1kv的高频高压瓷片电容;c06、c09、c013选用104/250v的薄膜电容;c08、c011、c015、c017选用224/250v的薄膜电容。电源部分的c01、c03电容分别选用1000uf/63v和470 uf/50v、最高耐温为105℃的优质电解电容;c02、c04选用104/63v的高频瓷片电容。d1—d4可选用1n4004或耐压更高的整流二极管。其他阻容元器件均为0805的表面贴片元件。 三.整机调试及注意事项 c2、c4、c5、c6是输入端补偿电容,c7是输出端补偿电容。该款放大器的调试较简单,而且一致性很好,补偿
0055 3840 cpi r20,0x80 0056 f419 bne 0x005a(0044) {(0068) twcr = (1<<twint)|(1<<twen)|(1<<twea)|(1<<twie); 0057 ec85 ldi r24,0xc5 0058 bf86 out p36,r24(0069) } 0059 c013 rjmp 0x006d(0070) else if (tmpchr == tw_sr_stop) 005a 3a40 cpi r20,0xa0 005b f419 bne 0x005f(0071) {(0076) twcr = (1<<twint)|(1<<twen)|(1<<twea)|(1<<twie); 005c ec85 ldi