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soft switching state, the turn-on current stress and turn-off voltage stress is small. 1 operational principles fig.1 shows the circuit diagram of the half-bridge converter. in the schematic, lr1 to lr4 are resonant inductors, the cr is resonant capacitor, s1 and s2 are main switches, s3 and s4 are auxiliary switches, d1 to d4 are anti-parallel diodes in the switches, cs1 to cs4 are snubber-capacities. the circuit is the conventional half bridge topology incorporating the auxiliary resonant tank tha
的有效手段。 规格 输入电压：5.5v至16v 第1路转换器输出电压 = 3.3v/2a （最大值） 第2路转换器输出电压 = 2.5v/1a （最大值） 每路转换器的开关频率（fsw） = 2mhz 环境温度（ta） = -40°c至+85°c 图1. max5073参考设计 表1. 材料清单 designator value description part footprint manufacturer quantity c1 100μf/35v capacitor eevfk1v101p 8mm x 10.2mm panasonic 1 c2, c3, c4, c17, c18 0.1μf/25v capacitors grm188r71e104ka01d 603 murata 5 c5, c6, c7 22μf/6.3v capacitors grm31cr60j226ke19 1206 murata 2 c8, c9 10μf/25v capacitors grm31cr61e106ka12 1206 murata 1 c10, c12 2.
★ 当u2为正半周并且数值大于电容两端电压uc时，二极管d1和d3管导通，d2和d4管截止，电流一路流经负载电阻rl，另一路对电容c充电。当uc>u2，导致d1和d3管反向偏置而截止，电容通过负载电阻rl放电，uc按指数规律缓慢下降。 ★ the diode d1&d3 work, d2&d4 cut off, the current flows through the load resistance rl in a loop and charge the capacitor c up when u2 in the positive half circuit and its value exceeding the voltage uc which is parallel connected in the two terminals of capacitor. when uc exceeds u2, and causes the diode d1&d3 cut off, the capacitor discharge through the load resi
上分别*正负电子，而电解质溶液中的正负离子将由于电场作用分别*到与正负极板相对的界面上，从而形成两个集电层。 由于活性碳材料具有≥1200m2/g的超高比表面积（即获得了极大的电极面积），而且电解质与多孔电极间的界面距离不到1nm（即获得了极小的介质厚度），所以这种双电层结构的超级电容器比传统的物理电容的容值要大很多，比容量可以提高100倍以上，从而使利用电容器进行大电量的储能成为可能。 目前国际上研究与发展的超级电容器可归为以下几类： ●双层电容器（double layer capacitor） 由高表面碳电极在水溶液电解质（如硫酸等）或有机电解质溶液中形成的双电层电容，如图6-12.1所示。该图还表示出一个典型双电层的形成原理，显然双电层是在电极材料（包括其空隙中）与电解质交界面两侧形成的，双电层电容量的大小取决于双电层上分离电荷的数量，因此电极材料和电解质对电容量的影响最大。一般都采用多孔高表面积碳作为双层电容器电极材料，其比表面积可达1000－3000m2/g，比电容可达280f/g。 ●赝电容器（pseudo－capacitor） 由电极表面上或者体相中的二
能够很好地匹配，即电容c1=c2，这时理想传输特性曲线如图2所示，同时本级余差输出vi为： 由式(2)和式(3)的对比中可以看出，电容失配会使余差输出产生误差，从而对adc的精度造成影响。 3 电容误差平均技术介绍 电容误差平均技术是一种重要的对温度和老化不敏感的校准方法。其基本思想是利用电容交换得到2个带有互补误差的输出，然后进行平均使原先的误差由一阶变为高阶，从而得到较为精确的输出。 3.1 有源电容误差平均技术 有源误差平均技术(active capacitor error-aver-aging technique，acea)，其电路结构同标准流水线型adc基本相同，不同的是其在冗余放大器之后增加了一个误差平均放大器。同时，时钟由2相变为3相，分别为采样相、放大相以及平均相。工作过程如图3所示。由于在实际电路当中电容之间均存在不匹配，在这里假定冗余放大器和平均放大器输入端相连的电容值分别为电容c和c(1+α)以及c1和c1(1+β)，α和β分别为电容的失配系数。 在采样相，输入电压vi-1被电容c和c(1+α)所采样；然后在放大相，电容c(1+α
就像今年绝大部分的电子零组件市场一般，由于消费电子需求扩张，电容器（capacitor）制造商也正经历产品需求大幅增加的阶段。但是电容器市场景气，仍会受到出货时间拉长、价格上扬和零组件供货不足等因素的影响而有所波动。 尽管电容器组件的价格就跟其极微小的尺寸一般，大概只有1分美元左右，但电容器具有代表电子产业需求趋势的带头作用。因为电容器被广泛地采用于几乎所有的电子产品当中。例如，苹果的ipad产品就包含702种电容器；而iphone 4内也有469个电容器组件。 电容器一般可分为铝质电容（aluminum capacitor）、陶瓷电容（ceramic capacitor）和钽质电容（tantalum capacitor）这三种。根据市调机构isuppli最新的市场分析，虽然今年铝质电容器的需求正明显成长，不过交货时间也跟着拉长，价格也过于偏高。目前铝质电容组件的交货时间延长至18周，比起市场能够预期接受的10到12周还要久。 交货时间拉长，组件价格也跟着水涨船高，因此与智能型手机芯片、以及其他电子组件的状况类似，电容器组件的缺货情况可能要到今年第4季、甚至是明年第1季才会有所改善
、陶瓷基板 勤发电子股份有限公司chinfa electronics ind. co., ltd. w3.3554 36 sqm din rail psu、ac/dc power module、dc/dc converter、enclosed power、dc ups controller 创格电子实业有限公司chuang ge electronic industrial co., ltd. w3.3514 36 sqm mkp-x2 filtering capacitors、mkp-x2 film capacitors、mkph igbt film capacitors、cbb20 metalized polypropylene film capacitors、mkph-sb/sc igbt snubbed capacitors、energy storage capacitors mkt-d energy storage capacitor、resonance capacitors for induction cooker、cbb60 film capacito
否会消失，半导体存储器又分为可挥发性存储器(volatile memory)和不可挥发性存储器(nonvolatile memory, nvm)两大基本类型。作为半导体存储器技术及其工艺制程讲座系列之一，本文先对最常见的、也是中芯国际正在生产和研制的几种最基本的半导体存储器做一个简要的介绍。 动态随机存取存储器(dynamic random access memory, dram) 现代超大容量dram的存储单元（图２），基本上都是由一个晶体管(mos)和一个电容器(capacitor)组成，其中晶体管作为开关起到地址选择的作用，而电容器通过所储蓄的电荷用作为一个动态的存储元器件。晶体管的多晶硅栅电极同时作为字线（wl），它的漏(drain, d)和源(source, s)一端接到以局域互连(local interconnect, il)金属导线为载体的位线（bl）上，另一端接到存储信息的电容器上。在写入信息时，位线（bl）加高电压（写１）或地电压（写０），字线（wl）加高电压促使晶体管(mos)导通，电容器(capacitor)相应为有电荷（１）或无电荷（０）；当字线（wl
麦瑞半导体近日宣布针对高功率密度dc/dc应用开发了superswitcher ii 系列mosfet集成降压稳压器。mic26xxx superswitcher ii 系列含三款dc/dc降压稳压器，均采用了麦瑞半导体专有的hyper speed control 架构。mic26400、mic26600 和mic26950 器件的输入电源电压范围是4.5v到26v，输出电流分别为5a、7a和12a。superswitcher ii 系列可与任何电容产品﹝any capacitor ﹞配套使用，不受输出esr影响，因此解决了长期以来电源设计者在采用分布式输出电容时遇到的稳定性问题。mic26400, mic26600 和 mic26950目前已批量供货，起价1k量级单价分别为1.82美元、2.20美元、2.77美元。 麦瑞半导体模拟产品营销副总裁andrew cowell表示：“superswitcher ii 系列尺寸小，集成度高，可提供无可比拟的性能，降低了产品周期、尺寸和成本。” （点击图片放大） 麦瑞半导体模拟电源高级营销总监doyle slack表示：“通过采用我们专有的
sram在手机上的地位。 pseudo sram具有大内存容量、低成本、高频率速度、低功率消耗的优点。在许多通信应用领域，现在需要成本更低、容量更大的低功率内存。而未来的pseudo sram产品将会以更具吸引力的价格，提供更大容量和更低功率，满足这些市场的需求。 pseudo sram是由dram macro core+sram interface之架构所组成。dram macro core是采取传统dram为核心，memory cell由1 transistor+1 capacitor所组成；sram interface则设计与传统sram特性兼容的架构。pseudo sram设计了一个on-chip refresh circuit，外接的接口则采用sram的接口，以增加读取速度并降低使用者在设计上的困扰。在工艺上pseudo sram可以使用现有的dram的制程，记忆体的大小已可缩小至110nm及90nm的工艺，大幅降低pseudo sram的成本，低成本(cost over mb)已成为pseudo sram的最主要的利器。pseudo sram具有下列的特色：·大的内存
高电流电源输出电路 元件bom表： r1 680 ohm 1/4 watt resistor c1 20,000 - 50,000uf 20-40 volt capacitor c2, c3 100uf 50 volt capacitor c4 0.1uf 50 volt capacitor c5 0.01uf 50 volt capacitor d1 zener diode (see notes) q1 2n3055 or other (see notes) t1 transformer (see notes) br1 bridge rectifier (see notes) s1 spst 250 vac 10 a switch misc case, line cord, heatsink for q1, binding posts for output 来源:xienag
assemble by soldering the components to the pads indicated. keep coil, resistor, and capacitor leads as short as possible. the coils should be 3/16" to 1/4" above the board and separate turns by one wire diameter. bend leads to form a little mounting foot for soldering to the circuit board. tuning and power output are affected by the distance between the coil turns, you can make fine adjustments by either spreading or compressing the coil slightly. the area surrounding the pads is ground. c2, c
get on with the project. the circuit the circuit itself is fairly conventional, with a couple of small refinements. it all begins with tr1 (bc547) in an inverted hartley oscillator configuration. the feedback to the base of tr1 is via a small 4.7pf capacitor to help keep the oscillations as weak as possible whilst allowing the oscillator to be a reliable starter. the frequency of the oscillator is determined by l1 and the 22pf trimmer capacitor and functions in the range of about 76mhz to 119mhz using t
材料bom表： j1 = rca audio input socket j2 = rca audio input socket c1 = 0.1uf-16v ceramic disc capacitor c2 = 0.1uf-16v ceramic disc capacitor c3 = 0.1uf-16v ceramic disc capacitor ic1 = ds1669 (is available from dallas sco. sw1 = momentary push button switch sw1 = momentary push button switch 来源:lidy
; watt resistor r5 680 ohm ¼ watt resistor r6,r7 0.15 ohm 10 watt resistor (tech america 900-1006) r8 2.7k ¼ watt resistor r9 1k trimmer potentiometer (rs271-280) r10 3.3k ¼ watt resistor c1,c2,c3,c4 4700 microfarad electrolytic capacitor 35 volt (observe polarity) c5 100 picofarad ceramic disk capacitor c6 1000 microfarad electrolytic capacitor 25 volt (observe polarity) ic1 lm723 (rs276-1740) voltage regulator ic. socket is recommended. q1 tip3055t (rs276-2020) npn transistor (to-2
er time一词怎样译才合适？basic charge measurement methods 电荷测量的基本方法［239］charge is difficult to measure directly; it must be related to an easily measured quantity. one commonly used method of making this type of measurement is to measure the voltage across a capacitor of known value. the charge is related to capacitor voltage as follows: ［239］直接测量电荷很困难，必须通过与它相关的其它容易测量的量来测量。这种类型的测量普遍使用的方法是测量已知电容值的两端电压，电荷和电容电压有如下关系： ［240］q = cv where: q = capacitor charge (coulombs) c = capacitor value (farads) v = voltage across
请教电子英语c1 coupling capacitor between the pre-amplifier stages- this capacitor defines the lower limit of the receiver frequencyc2 filter capacitor- the recommended value shall be usedc3 demodulation capacitor- the recommended value shall be usedc4 capacitor for regulation- this capacitor defines the time constant for the regulation; select its value in that mannerto avoid any shortening of the pulse width of time code signal which can be caused by apostregulation of the amplificationq1 filter crystal- ins
e tested at 4kv, x2 for ac wall-let impulsed voltage tested at 2.5 kv.2. y cap are line to neutral ground. 4700 pf. small to limit ac leakage current. y1 for double insulation impulsed tested at 8kv, y2 for basic insulation impulsed tested at 5kv.3. capacitor discharge: the capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removed from its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level. per ul 1950, voltage across a capacitance greater than 0.1 μf
小文章，考虑到最近不时有人提问有关此类问题，也觉得有一定的意义，故而整理一下，帖出来供大家参考。只是个别地方译不出来，有点遗憾。 这次赶巧了，今天还知道有位小老乡赶上今天生日，说好了算作今天偶给她的小礼物，愿她能及早看到。 september 5,2001rubycon corporation engineering division to: acbel polytech inc. lifetime calculation formula of aluminum electrolytic capacitors 铝电解电容的寿命的计算公式 1. lifetime calculation formula 寿命计算公式 l : life expectancy at the time of actual use.实际使用平均寿命lb : basic life at maximum operating temperature 最大工作温度下的基本寿命tmax : maximum operating temperature 最大工作温度ta : actual ambient temperature 实际环境
pled“ground” actually join at the power supply, the “glitch”on the ground lines is similar to the “glitch” on the negativesupply bus. depending upon how the feedback andsignal sources are “grounded,” the effective disturbancecaused by the decoupling capacitor may be larger than thedisturbance it was intended to prevent. 3a这张图不理解,有更加具体的例子吗?放大器的输出电流是如何流动到"poweer supply terminal"上的.也许我应该这么认为,acb三点之间我可以看成其它接在正电源和地之间的元器件,信号电流从这些元器件流动.使得干扰串到负电源上.2.figure 3b showshow the decoupling capacitor can be us
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