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  • 利用FPGA实现MMC2107与SDRAM接口设计

    000个可用门;③支持多电压(multivolt)i/o接口,低功耗,遵守全pci总线规定,内带jtag边界扫描测试电路;④通过外部eprom、集成控制器或jtag接口实现在电路可重构(icr);⑤快速、可预测连线延时的快速通道连续式布线结构;⑥实现高速、多输入逻辑函数的专用级联链;⑦增强功能的i/o引脚,每个引脚都有一个独立的三态输出使能控制,都有漏极开路选择;⑧具有快速建立时间和时钟到输出延时的外部寄存器;⑨多种封装方式可任意选择。本文所采用的flex 10k系列器件是flex 10ka epf10k30aqc240引脚器件。图3 sdram存储系统基本结构 图4 sdram存储器初始化状态机4 mmc2107微控制器sdram接口设计本文介绍mmc2107外部sdram存储系统的实际存储容量为32m×32位,使用4片三星公司生产的k4s560832a存储器芯片。系统mmc2107支持对存储单元的读写和刷新。mmc2107对读写存储器的读写以32位单位进行(数据宽度32位),每次读写由外部决定访存周期。采用分散刷新方式,7.8μs执行1次自动刷新命令;如果长时间没有访存操作,自动进入低功耗模式。4

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