带有此标记的料号：
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TQFN8/11+
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FM25H20-DG
212
TDFN8/1020+
原装现货
FM25H20-DGTR
15000
TDFN8/23+
全新原装进口特价
FM25H20-GTR
12000
SOP8/19+
十年芯程，只做原装
FM25H20-DG
500
SOP/11+
百分百原装现货特价
FM25H20
28800
QFN/22+
原装现货，提供配单服务
FM25H20
228000
NR/2017+
诚研翔科技，专业配单公司，可开增值税发票
FM25H20
15000
WSOP8/23+
只做进口原装假一赔十
FM25H20
96340
SOP8/-
原厂渠道价格超过代理有更多数量
FM25H20
5000
QFN/2019+
原装现货
FM25H20
8700
QFN/2023+
原装现货
FM25H20
960000
NEW/NEW
一级代理正品保证
FM25H20
3456
QFN/22+
一诺千金，诚信经营
FM25H20
3268
SOP/2022+
原装 价优 现货库存
FM25H20
5
SOP/19+
只做原装
FM25H20
8700
QFN/2023+
原装现货
FM25H20
8700
QFN/2023+
原装现货
FM25H20
48000
QFN/23+
只做原装,提供一站式配套服务，BOM表秒报
FM25H20
5070
QFN/22+
原装正品，提供BOM服务
FM25H20
2Mb Serial 3V F-RAM Memory
Ramtron International Corporation
FM25H20PDF下载
ramtron international corporation推出业界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存储器，采用8脚tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封装。fm25h20 采用先进的130纳米 (nm) cmos工艺生产，是高密度的非易失性f-ram存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (spi)。该3v、2mb串行f-ram器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。 fm25h20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，f-ram的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。 fm25h20是256k x 8位非易失性存储器，以高达40mhz的总线速度进行读写操作，具有几乎无限的耐用性、10年的数据保存能力，以及低工作电流。该器件设有工业标准spi接口，优化了f-ram的高速写入能力。fm2
非易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出业界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存储器，采用8脚tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封装。fm25h20 采用先进的130纳米 (nm) cmos工艺生产，是高密度的非易失性f-ram存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口 (spi)。该3v、2mb串行f-ram器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。 fm25h20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，f-ram的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。 ramtron 战略市场拓展经理 duncan bennett 解释道：“对于那些需要在其新一代应用中提高数据采集能力，却不增加板卡空间的计量和打印机
小半径在λ／100左右；对于较大的有源损耗体(如aa电池)，最小半径在λ／10左右(λ为无线通信频率的波长)。采用的巴伦匹配传输线的避让空间如图6所示。经匹配后的网关与节点能在150～200 m的范围内自由通信，传输效果令人满意。 3．4 存储单元 微处理器自带128 kb flash不能满足操作系统的移植存储的代码量，以及传感器节点每天采集的数据量(64个节点一天大约4．3k)，故必须进行存储器的扩展。结合考虑微处理器外设接口和数据存储读写速度，选择2 mb的非易失性铁电随机存储器fm25h20。其硬件原理图如图7所示。 fm25h20具有无限的读写次数，掉电数据多达10年保持时间，写数据无延时，快速spi串行协议，高达40 mbps的总线速度，完善的软、硬件写保护，极低的静态工作电流(5μa)，非常适合本嵌入式网关设计的需要。 3．5 电源模块 无线传感器网络节点一般工作在无人值守的环境下，所以选择能源非常重要；另外，自然界的能源补充也至关重要。设计中采用太阳能电池板实现整个系统的能源供给。比较当今常用电池性能，分析计算设计节点各模块的功耗，选择额定电压为3．7
2c、spi接口的串行fram.fram器件以fmxxx开头，其封装和引脚分布与同类sram、e2prom器件兼容。i2cfram的速度可达1mhz,容量可达512 kb.spifram的速度可达40 mhz,容量可达2 mb.并行fram的速度可达55 ns,读/写周期为110 ns,容量可达4 mb.使用并行fram,由于存在"预充",读/写操作时要特别注意微处理器与存储器的时序的对应统一。典型的高速度大容量fram器件有16位并行fm22l16、8位并行fm20l08、fmm24c512、fm25h20等。 2.6 磁阻式随机存储器mram 磁阻性随机存储器mram（magnetic-resistiveram）基于gmr（giant magneto resistive）薄膜技术，与硬盘驱动器原理相同，以磁性的方向为依据存储数据。其基本存储单元是磁隧道结（mtj）结构，mtj由固定磁层、薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。向mtj施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为"穿遂（tunneling）"的过程，穿透绝缘隔离层；当自由层的磁矩与固定层平行时mtj结构具有低电阻；而当自由层的磁矩方
2M位非易失性铁电存储器，结构容量为256K×8位，读/写次数无限制，掉电数据保持10年，写数据无延时，采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 快速串行外设接口SPI，总线速度最大可达40MHz，硬件上可直接取代串行的闪存，SPI模式0和3（CPOL，CPHA＝0，0和1，1）；写保护模式：硬件保护，软件保护；低功耗操作：2.7～3.6V操作电压，待机电流5μA；工业标准配置：工业级温度－40～＋85℃，引脚兼容SOIC-8
ramtron推出首款2兆位串行f-ram存储器，采用8脚tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封装。fm25h20 采用先进的130纳米cmos工艺生产，是高密度的非易失性f-ram存储器，以低功耗操作，并备有高速串行外设接口(spi)。该3v、2mb串行f-ram器件以最大的总线速度写入，具有几乎无限的耐用性，通过微型封装提供更大的数据采集能力，使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。 fm25h20是串行闪存的理想替代产品，用于要求低功耗和最小板卡空间的精密电子系统中，包括便携式医疗设备如助听器等，它们实际上是微型数据处理器，但受到空间有限及功耗低的限制。与闪存相比，f-ram的优势包括大幅降低工作电流、写入速度更快、写入耐用性更比闪存高出多个数量级。 ramtron 战略市场拓展经理 duncan bennett 解释道：“对于那些需要在其新一代应用中提高数据采集能力，却不增加板卡空间的计量和打印机客户而言，这款 2mb 串行 f-ram 是自然的产品延伸。fm25h20 以相同的小占位面积，为半兆位串行 f-ram 客户提供高达四倍的存储能力。除提
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