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深圳市创德丰电子有限公司
HAT2165H-EL
严选现货
严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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RENESAS
LFPAK4/06+
一定原装房间现货

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HAT2165H Silicon N Channel Power MOS FET Powe... RENESAS HAT2165HPDF下载
HAT2165H Silicon N Channel Power MOS FET Powe... RENESAS [Renesas Technology Corp] HAT2165HPDF下载
HAT2165H_05 Silicon N Channel Power MOS FET Powe... RENESAS [Renesas Technology Corp] HAT2165H_05PDF下载
HAT2165H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Powe... RENESAS [Renesas Technology Corp] HAT2165H-EL-EPDF下载

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历史最低报价：￥3.5000 历史最高报价：￥3.5000 历史平均报价：￥3.5000

瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET
6v、输出电流10a的条件下进行测试，上部电路固定为hat20682，下部电路用3种不同ron/qgd比值的hat20682。hat20682属于d7-l类型。在最低qgd为5.0nc的情况下，效率最高。降低栅极电阻rg有利于提高工作频率和开关损耗，仍用maxim1717实验板，测试条件为vin为12v、f为300khz和1mhz。测试结果，rg变大时，效率变低。优化门限电压vth有两个目的，一是避免误开通，二是提高效率，降低损耗。安排上部固定为hat2168h，下部用具有三种不同vth值的hat2165h和hat2265h。实验板仍是maxim1717。测试条件是vout=1.3v、iout=10a，f=1mhz。从测试结果看，不同的vth有不同的效率曲线，需要找出一个最高效率曲线，即得到优化的vth。从封装上看，d8-l系列与以往的d7-l系列产品在性能上有明显优势。这里把ron和qgd作为品质因数即mom来考察。在vdss为30v、栅-源电压vgs为4.5v的条件下，d8-l系列的mom从d7-l的65毫欧nc下降到24毫欧nc，改进了接近63%。将d8系列与d7系列产品在效率上进行比较