HT46F47E
14048
DIP18/2013+
专营合泰全系列,只做原装,假一赔十
HT46F47E
10736
18SOP/24+
原装代理,低价保真
HT46F47E
66000
SOP18/23+
原装现货可提供规格书,一站式BOM表配单
HT46F47E
12000
SOP/23+
全新原装,假一罚十
HT46F47E
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
HT46F47E
7899
DIP18/18+
只做原装正品,假一罚十,大量现货,特价销售
HT46F47E
2932
SOP18/24+
原厂原装现货
HT46F47E
8000
48SSOP/2023+
原装现货,支持BOM配单
HT46F47E
66880
DIP18/23+
原装库存QQ373621633
HT46F47E
7300
-/23+
原装现货
HT46F47E
65428
SOP18/22+
只做现货,一站式配单
HT46F47E
168000
SSOP20/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
HT46F47E
15000
DIP18/21+
原厂原装正品
HT46F47E
48000
DIP18/24+
原装现货,可开专票,提供账期服务
HT46F47E
5000
SOP18/15+
原装,配单能手
HT46F47E
7300
-/25+
行业十年,价格超越代理, 支持权威机构检测
HT46F47E
50000
-/24+
品牌专营100%原装房间现货全网价
HT46F47E
80000
-/23+
原装现货
HT46F47E
3465
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
HT46F47E
10000
DIP18/2019+
原装配单报价
盛群半导体(holtek)继i/o型flash mcu之后,推出a/d型flash mcu ht46f47e。ht46f47e的程序内存可以透过isp (in-system-programming) 接口直接对已制造好的产品进行mcu程序内存的烧录,且烧录次数可达十万次,此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新,因而能够缩短产品的上市时间,并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数,不需受限于烧录次数;在产品售出后可以很方便地做软件升级,提供更高的附加价值。 ht46f47e的rom为2k*14、eeprom为128 bytes、ram为64 bytes、i/o最多为13端口,除此之外ht46f47e的a/d分辨率为9 bits且总共有4个通道可以使用亦可作为监测外部模拟信号之用途,如搭配不同sensor可应用于侦测,如电池电压、电流、温度、湿度、压力、明暗度等功能。 ht46f47e所提供的pwm输出更可应用于控温、调速、定电压、定电流等控制。搭配的pfd (programmable frequency divider)可应用于任意频率产生搭配发声组
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内 存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电
holtek半导体继i/o型flash mcu之后,推出a/d型flash mcu ht46f47e。ht46f47e的程序内存可以透过isp (in-system-programming) 接口直接对已制造好的产品进行mcu程序内存的烧录,且烧录次数可达十万次,此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新,因而能够缩短产品的上市时间,并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数,不需受限于烧录次数;在产品售出后可以很方便地做软件升级,提供更高的附加价值。 ht46f47e的rom为2k*14、eeprom为128 bytes、ram为64 bytes、i/o最多为13埠,除此之外ht46f47e的a/d分辨率为9 bits且总共有4个通道可以使用亦可作为监测外部模拟信号之用途,如搭配不同sensor可应用于侦测,如电池电压、电流、温度、湿度、压力、明暗度等功能。ht46f47e所提供的pwm输出更可应用于控温、调速、定电压、定电流等控制。搭配的pfd (programmable frequency divider)可应用于任意频率产生搭配发声组件就可产生美妙的音
盛群半导体(holtek)继i/o型flash mcu之后,推出a/d型flash mcu ht46f47e。ht46f47e的程序内存可以透过isp (in-system-programming) 接口直接对已制造好的产品进行mcu程序内存的烧录,且烧录次数可达十万次,此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新,因而能够缩短产品的上市时间,并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数,不需受限于烧录次数;在产品售出后可以很方便地做软件升级,提供更高的附加价值。 ht46f47e的rom为2k*14、eeprom为128 bytes、ram为64 bytes、i/o最多为13端口,除此之外ht46f47e的a/d分辨率为9 bits且总共有4个通道可以使用亦可作为监测外部模拟信号之用途,如搭配不同sensor可应用于侦测,如电池电压、电流、温度、湿度、压力、明暗度等功能。 ht46f47e所提供的pwm输出更可应用于控温、调速、定电压、定电流等控制。搭配的pfd (programmable frequency divider)可应用于任意频率产生搭配发声组
盛群半导体(holtek)继i/o型flash mcu之后,推出a/d型flash mcu ht46f47e。ht46f47e的程序内存可以透过isp (in-system-programming) 接口直接对已制造好的产品进行mcu程序内存的烧录,且烧录次数可达十万次,此项特性让客户能够很容易地做产品的软件更新,因而能够缩短产品的上市时间,并可提供更好的售后服务。例如客户可以在产品出货前烧录最新版的程序及调校参数,不需受限于烧录次数;在产品售出后可以很方便地做软件升级,提供更高的附加价值。 ht46f47e的rom为2k*14、eeprom为128 bytes、ram为64 bytes、i/o最多为13端口,除此之外ht46f47e的a/d分辨率为9 bits且总共有4个通道可以使用亦可作为监测外部模拟信号之用途,如搭配不同sensor可应用于侦测,如电池电压、电流、温度、湿度、压力、明暗度等功能。 ht46f47e所提供的pwm输出更可应用于控温、调速、定电压、定电流等控制。搭配的pfd (programmable frequency divider)可应用于任意频率产生搭配发声组
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu - ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电流、