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holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内 存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电流、
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu - ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电
继ht46f47e之后,holtek半导体再增添a/d型flash mcu-ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃-85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复进行10万次读/写,数据存储器eeprom可重复100万次的读/写。 搭配holtek isp(in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可在生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不会因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号:ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e。快闪程序内存(flash program rom)有1k-4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o有13-23个,sram有64-128 bytes,全系列提供4信道9 bit或8 bit adc、8bit pwm adc,可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电流