HT46F49E
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原装现货,提供BOM配单服务
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终端可以免费供样，支持BOM配单
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一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
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HT46F49E
Cost-Effective A/D Flash Type 8-Bit ...
HOLTEK
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holtek半导体继ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写，数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案，可轻易实现成品韧体更新，全系列搭载数据存储器(eeprom)，可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据，并且不因电源关闭而消失，可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快闪程序内 存(flash program rom)由1k~4k words，数据存储器eeprom为128或256 bytes，i/o由13~23个，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作为监测外部模拟信号之用途，诸如电池电
holtek半导体继ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu － ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写，数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案，可轻易实现成品韧体更新，全系列搭载数据存储器(eeprom)，可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据，并且不因电源关闭而消失，可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words，数据存储器eeprom为128或256 bytes，i/o由13~23个，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作为监测外部模拟信号之用途，诸如电池电压、电
holtek半导体继ht46f47e之后，再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写，数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案，可轻易实现成品韧体更新，全系列搭载数据存储器(eeprom)，可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据，并且不因电源关闭而消失，可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e，快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words，数据存储器eeprom为128或256 bytes，i/o由13~23个，sram由64~128 bytes，全系列提供4信道9-bit或8-bit adc，8-bit pwm，adc可作为监测外部模拟信号之用途，诸如电池电压、电流、
继ht46f47e之后，holtek半导体再增添a/d型flash mcu－ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e，全系列符合工业上-40℃－85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，快闪程序内存(flash program rom)可重复进行10万次读/写，数据存储器eeprom可重复100万次的读/写。 搭配holtek isp(in-system programming)技术方案，可轻易实现成品韧体更新，全系列搭载数据存储器(eeprom)，可在生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据，并且不会因电源关闭而消失，可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号：ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e。快闪程序内存(flash program rom)有1k-4k words，数据存储器eeprom为128或256 bytes，i/o有13-23个，sram有64-128 bytes，全系列提供4信道9 bit或8 bit adc、8bit pwm adc，可作为监测外部模拟信号之用途，诸如电池电压、电流
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