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SOP8/0943+
原装现货,市场价格
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SOIC8/21+
军用单位指定合供方/只做原装,自家现货
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6500
SOP8/23+
只做原装现货
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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9900
8SOIC/23+
只做原装,提供配单服务,QQ281559972
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SOP8/21+
原装现货终端免费提供样品
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-/21+
主营品牌全新原装可供更多
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8700
-/2023+
原装现货
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SOP8/1323+
原装进口现货假一罚百
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-/21+
原厂渠道,现货配单13312978220
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25000
8SO/22+
只有原装原装,支持BOM配单
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N/A/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
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9000
8SOIC/22+
原厂渠道,现货配单
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12800
8SOIC/2322+
原装/支持实单/原盒原标原盘/原管
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7000
SOP8/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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8SOIC/22+
原厂渠道,现货配单
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-/2023+
原装现货
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8SOIC/23+
原厂渠道,现货配单
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-/22+
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全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v i
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。 100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构作了优化。8
国际整流器公司(international rectifier,ir)近日推出全新60、80和100v的n沟道hexfet mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on)和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。”这些中电压mosfet配合ir的低电压mosfet和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifier智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet及对应的散热器,提升整体系统效率达1%。100v irf7853专为隔离式dc-dc总线转换器的通信总线宽电压输入(36v-75v)的原边桥拓扑结构
(电子市场网讯) 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新60、80和100v 的n沟道hexfet® mosfet。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。irf7853pbf、irf7854pbf及irf7855pbf均适用于ac-dc次级同步整流、隔离式中等功率dc-dc应用。 ir中国大陆及香港销售总监严国富指出:“mosfet的导通状态电阻和总栅极电荷性能对整个电路性能有着直接的影响。我们的三款新型so-8封装器件采用了ir 的沟道mosfet技术,可以大幅度降低rds(on) 和qg,为转换器电路带来显著的系统级优势。” 这些中电压mosfet 配合ir 的低电压mosfet 和控制器ic,可组成中功率转换器应用的次级芯片组。此外,当与smartrectifiertm 智能整流器ir1167一起应用于笔记本电脑适配器等ac-dc电源时,这些新型so-8封装器件则可替代两个大型的to-220 mosfet 及对应的散热器,提升整体系统效率达1%