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深圳市捷力华电子科技有限公司
IRF840PBF
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IRF840 N - CHANNEL 500V - 0.75ohm - 8A - TO... STMICROELECTRONICS IRF840PDF下载
IRF840 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON G... MOTOROLA IRF840PDF下载
IRF840 N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/5... FAIRCHILD IRF840PDF下载
IRF840 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85... IRF IRF840PDF下载
IRF840 N-CHANNEL POWER MOSFETS SAMSUNG IRF840PDF下载
IRF840 8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power... INTERSIL IRF840PDF下载
IRF840 isc N-Channel Mosfet Transistor ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] IRF840PDF下载
IRF840 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS... A-POWER [Advanced Power Electronics Corp.] IRF840PDF下载
IRF840 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS... STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] IRF840PDF下载

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临界导电模式有源功率因数校正器的设计
于电路的响应速度较慢，当负载突然变轻时，可能会引起输出电压的过冲现象，考虑到一定裕量，它的耐压可按大于输出过压保护点1．1vovp来选取。在该电路设计中选择co=220μf，耐压为450 v的电解电容。 3．4 功率开关管和输出二极管的选择功率开关管与输出二极管的电流应力和电压应力都相同，下面分别计算两者的电流应力和电压应力。开关管和二极管的最大峰值电流：开关管和输出二极管的电压应力需考虑输出过压保护点，因此其最大电压为：在该电路设计中，选择功率场效应管irf84．0作为开关管，其耐压为500 v，最大电流为8 a；选择快速恢复二极管murl560作为输出二极管，其耐压为600 v，最大电流为15 a。 4 实验与结论实验结果(见图4～图7)显示该ac／dc变换器在较宽广的输入电压范围下获得高度稳定的直流电压400 v输出；纹波峰一峰值在8 v以下；输出额定功率达150 w；满载下效率η=95％；功率因数λ≥0．99；输入电流总谐波畸变d<6％。目前，这种具有apfc电路的控制器已应用于电子镇流器产品中。 5 结语由m