nss12200wt1g供应商_nss12200wt1g中文资料_nss12200wt1gPDF下载地址价格行情【维库电子市场网】

NSS12200WT1G的技术参数
产品型号:nss12200wt1g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):12集电极最大电流ic(max)(ma):-2000直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):300最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-363/-55 to +150价格/1片(套):￥1.30 来源:零八我的爱
安森美 VCE(sat) 双极结晶体管
快开发新一代低vce(sat) bjt 器件，它们可将等效rds(on) 再降低50％，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电（esd）能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单（bom）。如在提供低于1.0伏（v）的低导通电压后，就无需典型的电荷泵。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chi
安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT
一代低vce(sat) bjt 器件，它们可将等效rds(on) 再降低50%，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电(esd)能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后，就无需典型的电荷泵。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30

NSS12200WT1G的技术参数
产品型号:NSS12200WT1G
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):12
集电极最大电流Ic(max)(mA):-2000
直流电流增益hFE最小值(dB):100
直流电流增益hFE最大值(dB):300
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):S...

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

nss12200wt1g供应商优质现货

nss12200wt1gPDF下载地址

nss12200wt1g价格行情

nss12200wt1g中文资料

NSS12200WT1G的技术参数

安森美 VCE(sat) 双极结晶体管

安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT

NSS12200WT1G的技术参数

nss12200wt1g替代型号

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

nss12200wt1g供应商优质现货

nss12200wt1gPDF下载地址

nss12200wt1g价格行情

nss12200wt1g中文资料

NSS12200WT1G的技术参数

安森美 VCE(sat) 双极结晶体管

安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT

NSS12200WT1G的技术参数

nss12200wt1g替代型号

我要上传PDF

建议反馈