NSS35200CF8T1G
28700
SOT238/22+
全新原装现货,价格优势,供应中欢迎咨询
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33333
SOP8/21+
原厂渠道,现货配单13312978220
NSS35200CF8T1G
3441
SSOP8/22+
十年配单,只做原装
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15375
SOT238/21+
原厂原装现货
NSS35200CF8T1G
21800
TSSOP/23+
现货库存,如实报货,价格优势,一站式配套服务
NSS35200CF8T1G
8000
SOD9232/2023+
原装现货,支持BOM配单
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20000
SO8/2023+
17%原装.深圳送货
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5000
N/A/22+
只做原装欢迎监督
NSS35200CF8T1G
9000
0619+/1206A03
低价清仓有单可谈
NSS35200CF8T1G
9200
-/23+
只做原装更多数量在途订单
NSS35200CF8T1G
30000
N/A/22+
价格优势,只做原装
NSS35200CF8T1G
62500
12068/-
原装最低价,认准华盛锦
NSS35200CF8T1G
12584
-/22+
深圳贸泽,最新到货,原厂渠道,只有原装
NSS35200CF8T1G
10000
SSOP8/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
NSS35200CF8T1G
8500
12068/21+
原装现货
NSS35200CF8T1G
14498
1206A03/-
原装原厂现货现卖
NSS35200CF8T1G
4980
TSSOP/2021+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
NSS35200CF8T1G
1845
12068/22+
原装现货自家库存价格优势
NSS35200CF8T1G
1250
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原装现货,欢迎咨询
电源效率,并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (
强,有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率,并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器
产品型号:nss35200cf8t1g类型:pnp集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):35集电极最大电流ic(max)(ma):7000直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):400最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):chipfet/-55 to +150价格/1片(套):¥2.40 来源:零八我的爱
产品型号:NSS35200CF8T1G
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):35
集电极最大电流Ic(max)(mA):7000
直流电流增益hFE最小值(dB):100
直流电流增益hFE最大值(dB):400
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
封装/温度(℃):...