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安森美 VCE(sat) 双极结晶体管
术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电（esd）能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单（bom）。如在提供低于1.0伏（v）的低导通电压后，就无需典型的电荷泵。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (t
安森美推出全新系列高性能VCE（sat）BJT
用提供这种成本节约型技术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电(esd)能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后，就无需典型的电荷泵。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss352

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