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产品型号:nta4001nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20(min)源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500最大漏极电流id(on)(a):0.238通道极性:n沟道封装/温度(℃):sc-75 /-55 ~150描述:小信号n沟道20 v, 238 ma mosfet 带esd保护价格/1片(套):¥1.10 来源:xiangxueqin
产品型号:NTA4001NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
最大漏极电流Id(on)(A):0.238
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75 /-55 ~150
描述:小信号N沟道20 V, 238 mA MOSFET 带ESD保护