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  • NTD14N03RT4G的技术参数

    产品型号:ntd14n03rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):117最大漏极电流id(on)(a):14通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:14a,25v功率mosfet价格/1片(套):¥1.50 来源:xiangxueqin

  • NTD14N03RT4G的技术参数

    产品型号:NTD14N03RT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):25
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):117
    最大漏极电流Id(on)(A):14
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:14A,25V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.50


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ntd14n03rt4g替代型号

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