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  • NTD60N03的技术参数

    产品型号:ntd60n03源漏极间雪崩电压vbr(v):28源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6.100最大漏极电流id(on)(a):60通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:60a,28v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥6.70 来源:xiangxueqin

  • NTD60N03的技术参数

    产品型号:NTD60N03
    源漏极间雪崩电压VBR(V):28
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100
    最大漏极电流Id(on)(A):60
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:60A,28V逻辑电平的功率MOSFET
    价格/1片(套):¥6.70

ntd60n03替代型号

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