当前位置:维库电子市场网>IC>ntd70n03rt4g 更新时间:2024-04-28 09:12:00

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  • NTD70N03RT4G的技术参数

    产品型号:ntd70n03rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8最大漏极电流id(on)(a):72通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:70-75 a, 25v功率mosfet价格/1片(套):¥3.90 来源:xiangxueqin

  • NTD70N03RT4G的技术参数

    产品型号:NTD70N03RT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):25
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8
    最大漏极电流Id(on)(A):72
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:70-75 A, 25V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥3.90

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