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nte4151p中文资料

  • NTE4151PT1G的技术参数

    产品型号:NTE4151PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360
    最大漏极电流Id(on)(A):0.760
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150
    描述:-20 V, -760 mA,功率MOSFET
    价格/1片(套):￥1.20

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NTE143A NTE125 NTD95N02RT4G NTD85N02RT4G NTD85N02R NTD80N02 NTD78N03T4G NTD70N03RT4G NTD70N03RT4 NTD70N03R-001

NTE4151PT1G NTE4153NT1G NTE858SM NTF2955T1G NTF3055-100T1 NTF3055-100T1G NTF3055-100T3G NTF3055-160T1 NTF3055L108T1 NTF3055L108T1G

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