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  • NTD95N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntd95n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5最大漏极电流id(on)(a):95通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:95a, 24 v,功率mosfet价格/1片(套):¥5.60 来源:xiangxueqin

  • NTD95N02RT4G的技术参数

    产品型号:NTD95N02RT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5
    最大漏极电流Id(on)(A):95
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:95A, 24 V,功率MOSFET
    价格/1片(套):¥5.60

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