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ntr0202plt1中文资料

  • NTR0202PLT1的技术参数

    产品型号:ntr0202plt1源漏极间雪崩电压vbr(v):-20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):22@-10v最大漏极电流id(on)(a):-0.400通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23/-55~150描述:25a,30v功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin

  • NTR0202PLT1G的技术参数

    产品型号:NTR0202PLT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):800
    最大漏极电流Id(on)(A):0.400
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-20 V, -400 mA,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1....

  • NTR0202PLT1的技术参数

    产品型号:NTR0202PLT1
    源漏极间雪崩电压VBR(V):-20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):22@-10V
    最大漏极电流Id(on)(A):-0.400
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
    描述:25A,30V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.20
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ntr0202plt1替代型号

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