当前位置:维库电子市场网>IC>ntr1p02lt1g 更新时间:2024-05-01 02:11:47

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  • NTR1P02LT1G的技术参数

    产品型号:ntr1p02lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):220最大漏极电流id(on)(a):1.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-20 v, -1.3 a,双功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin

  • NTR1P02LT1G的技术参数

    产品型号:NTR1P02LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220
    最大漏极电流Id(on)(A):1.300
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-20 V, -1.3 A,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.20...

ntr1p02lt1g替代型号

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