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  • IGBT及其子器件的几种失效模式

    s阈值电压漂移在电力电子的应用条件，即高电压（接近栅击穿电压）、大电流和高温（接近pn结临界温度150℃）时，是一种导致器件和电路失效的潜在参数，似乎仍需系统考察和修订老化条件。所以，将称作是一种可能隐藏的失效模式。 4、 igbt寿命期限内，有限次数短路脉冲冲击的累积损伤失效 在寿命期限内，igbt会遇到在短路、雪崩等恶劣条件下工作，它能承受短路脉冲冲击的次数是有限的，并和相关条件有关。 4.1非穿通型（npt）igbt的鲁棒性 npt—igbt的鲁棒性见图5，被测器件是sgw15n120。在540v 125℃时测试。x轴是耗散的能量。y轴是器件直至损坏的短路周期次数。 由图5可见，在给定条件下，器件有一个临界能量： ec=v·i·tsc=1.95j（焦耳） 式中，tsc是短路持续时间 当e>ec时，，第一次短路就使器件失效。 当e<ec时，大约要经历104次短路以上，器件会因周期性的能量累积退化使它失效。 当e=ec时，器件失效模式不明确。当能量等于或稍等于ec时，器件关断后，器件的拖尾电流，经过一段延迟时间td f ，将导致热击穿。这段延缓性失效时

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