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SGW25N120 Fast IGBT in NPT-technology INFINEON SGW25N120PDF下载
SGW25N120 Fast IGBT in NPT-technology INFINEON [Infineon Technologies AG] SGW25N120PDF下载

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历史最低报价：￥2.2000 历史最高报价：￥41.2000 历史平均报价：￥12.7746

型号厂家封装批号数量日期价格
SGW25N120 英飞凌 TO-247 N/A 15000 2013/9/18 9:05:53 2.2000/pcs
SGW25N120 INFINEON TO-3P 100 2011/8/8 11:54:10 3.0000/pcs
SGW25N120 INFINEON 06+ 2008/12/24 0:00:00 3.0000/pcs
SGW25N120 INF TO-3P 450 2012/1/5 13:26:27 4.2000/pcs
SGW25N120 INFINEON 2011 10000 2013/9/21 14:36:31 5.0000/pcs
SGW25N120 INFINEON TO-3P 500 2012/1/4 15:15:18 5.0000/pcs
SGW25N120 INFINEON N/A TO-247 100 2011/5/31 17:41:20 5.5000/pcs
SGW25N120 SIEMENS 高压IGBT管 300 2011/5/19 15:01:22 5.5000/pcs
SGW25N120 INFINEON TO-247 50 2011/8/7 19:13:49 6.0000/pcs
SGW25N120 200 2011/6/1 9:42:17 6.0000/pcs

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数据列表:
SGW25N120
标准包装:
240
类别:
分离式半导体产品
家庭:
IGBT - 单路
系列:
-
IGBT 类型:
NPT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）:
3.6V @ 15V，25A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
46A
功率 - 最大:
313W
输入类型:
标准型
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-247-3
供应商设备封装:
PG-TO247-3
包装:
管件
其它名称:
SP000012565

电磁炉原理与维修
阻rce(on) 不大于mosfet的rds(on) 的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kv~1.8kv的约1.2us、600v级的约0.2us, 约为gtr的10%,接近于功率mosfet, 开关频率直达100khz, 开关损耗仅为gtr的30%。 igbt将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的igbt,它们的参数如下:(1) sgw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用skw25n120。(2) skw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120,代用时将原配套sgw25n120的d11快速恢复二极管拆除不装。(3) gt40

SH66P20 SH67P33 SH67P54 SH67P93 SH69P20 SH69P20B SH69P20C SH69P20CM SH69P23 SH69P25

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IGBT 类型:

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

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电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

功率 - 最大:

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