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  • IGBT及其子器件的几种失效模式

    以看出： （1） 紧随器件关断后，初始拖尾电流电平（lio）直至失效的延迟时间是由能量决定的，或者说由器件关断后的温度决定的。能量越大，拖尾电流电平也越高，失效的延迟时间则越短。例如，图中给出的最大能量是tsc=60us，这时，tds趋向一个极小值。 （2） 当tsc=33us时，属于e<ec状态，不发生延迟失效。 当tsc=35us，tds=25us，开始出现热击穿。 4.2管壳温度的影响 管壳温度对临界能量ec的影响最大，管壳温度升高，ec就下降，测量sgw15n60的结果是： 温度：25℃125℃ ec：0.81j0.62j 4.3集电极电压的影响 集电极电压升高，ec就下降： vc：250v540v ec：2.12j1.95j 4.4穿通型（pi）igbt pt—igbt的短路失效特性和npt—igbt类似，但是，临界能理值ec比npt—igbt低。例如：在125℃，短路电压vsc=400v时： 600v pt—igbt（irgp20u）：ec=0.37j 600v npt—igbt(sgw15n60):ec=0.62

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